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71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
---|---|---|---|
テクノロジー | SRAM - 同期、SDR (ZBT) | 記憶容量 | 4.5Mbit |
記憶構成 | 128K × 36 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | 100 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
アクセス時間 | 5 ns | 電圧 - 供給 | 3.135V~3.465V |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 100-LQFP | 供給者のデバイスパッケージ | 100-TQFP (14x20) |
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Part Number | Description | |
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71V546S100PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V65603S100PFG | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
71V546S100PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V25761S183PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V25761S183PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V3579S65PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V3579S65PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V546S100PFGI8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V546S100PFGI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V65603S100PFG8 | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
71T75602S166PFG8 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
71T75602S166PFG | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
71V65603S100PFGI | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
71V65603S100PFGI8 | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
71T75602S166PFGI8 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
71T75602S166PFGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
70261L20PFGI8 | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP | |
71V25761YS200PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V3577YS85PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V3578YS133PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
70261S55PFG | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
製品の説明
製品詳細
記述:
IDT71V509は 3.3V 高速1Vです024,576ビット同期SRAMは128K x 8として組織され,バスを読み書き,または読み書きと読み書きの間を回すときに死周期を取り除くように設計されています.名称はZBTゼロバスのターンアワウンドTM
特徴:
• 128K x 8 メモリ 構成高速 - 66 MHz (9 ns 時計データ アクセス)
• 流通による出力
• 書き込み 読み込み サイクル の 間 に 死ぬ サイクル は ない
• 低出力モードをオフに
単一の3.3V電源 (±5%)
• 44 鉛 の SOJ で 梱包 さ れ た
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | 統合回路システム |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | 71V546 |
タイプ | シンクロン |
パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
単位重量 | 0.023175オンス |
マウントスタイル | SMD/SMT |
パッケージケース | 100LQFP |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 3.135V~3.465V |
供給者 デバイス パッケージ | 100TQFP (14x20) |
記憶容量 | 4.5M (128K×36) |
メモリタイプ | SRAM - 同期ZBT |
スピード | 100MHz |
アクセス時間 | 5 ns |
フォーマットメモリ | RAM |
最大動作温度 | +70°C |
動作温度範囲 | 0 C |
インターフェースタイプ | パラレル |
組織 | 128k x 36 |
供給電流最大 | 250mA |
パート#アリアス | 71V546 IDT71V546S100PFG |
供給電圧最大 | 3.465V |
供給電圧-分 | 3.135V |
パッケージケース | TQFP-100 |
最大 時計周波数 | 100 MHz |
製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
71V2556XS100PFG8 記憶力 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, グリーン, プラスティック, TQFP-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 71V2556XS100PFG8 |
IDT71V3556S100PFG8 記憶力 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS 適合, プラスチック, TQFP-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 IDT71V3556S100PFG8 |
IDT71V3556S100PFG 記憶力 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 について | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 IDT71V3556S100PFG |
71V546S100PFG8 記憶力 |
TQFP-100,リール | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 71V546S100PFG8 |
71V3556S100PFG8 記憶力 |
TQFP-100,リール | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 71V3556S100PFG8 |
IDT71V546S100PFG8 記憶力 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM,プラスティック, TQFP-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 IDT71V546S100PFG8 |
IDT71V3556XS100PFG 記憶力 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS 適合, プラスチック, MO-136DJ, TQFP-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 IDT71V3556XS100PFG |
71V3556S100PFG 記憶力 |
TQFP-100,トレイ | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 71V3556S100PFG |
IDT71V546S100PFG 記憶力 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS 適合, プラスチック, TQFP-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 IDT71V546S100PFG |
71V2556XS100PFG 記憶力 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, グリーン, プラスティック, TQFP-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V546S100PFG 対 71V2556XS100PFG |
記述
SRAM - 同期ZBTメモリIC 4.5Mb (128K x 36) パラレル100MHz 5ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V パイプライン SRAM
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