TC58BVG0S3HBAI4 ICフラッシュ 1GBIT PARALLEL 63TFBGA キオキシア・アメリカ,インク

ブランド名 Kioxia America, Inc.
モデル番号 TC58BVG0S3HBAI4
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価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ
テクノロジー フラッシュ-否定論履積(SLC) 記憶容量 1Gbit
記憶構成 128M x 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 25ns
アクセス時間 25 ns 電圧 - 供給 2.7V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 63-VFBGA 供給者のデバイスパッケージ 63-TFBGA (9x11)
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Part Number Description
TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA
TH58BYG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TH58BVG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TC58BYG2S0HBAI4 IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
TH58NYG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
TH58NYG3S0HBAI4 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BYG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT 63TFBGA
TH58NVG2S3HBAI6 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
TH58NYG2S3HBAI6 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
TH58BYG3S0HBAI4 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BVG2S0HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG2S0HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BVG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
TC58BYG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
TC58NYG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
TC58NYG2S0HBAI4 IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TH58NVG3S0HBAI4 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TH58NVG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

85 oC,高波動性,汎用コンデンサ

TC型は,高波動電流定位を持つ軸性鉛,85 oC,長寿命1000時間の汎用アルミ電解コンデンサで,消費電子機器のアプリケーションに適しています..

ハイライト

• 一般目的
• 高波動 流れ
• 低プロフィール 装着

仕様

属性属性値
製造者トシバ半導体および貯蔵
製品カテゴリーメモリIC
シリーズベナンド
パッケージトレー
パッケージケース63-VFBGA
動作温度-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ63-TFBGA (9x11)
記憶容量1G (128M x 8)
メモリタイプEEPROM - NAND
スピード25ns
フォーマットメモリEEPROM - シリアル

記述

FLASH - NAND (SLC) メモリIC 1Gb (128M x 8) パラレル 25ns 63-TFBGA (9x11)
SLC NAND フラッシュ パラレル 3.3V 1Gビット
EEPROM 3.3V,1Gbit CMOS NAND EEPROM