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TC58BVG0S3HBAI4 ICフラッシュ 1GBIT PARALLEL 63TFBGA キオキシア・アメリカ,インク

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x商品の詳細
記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | フラッシュ |
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テクノロジー | フラッシュ-否定論履積(SLC) | 記憶容量 | 1Gbit |
記憶構成 | 128M x 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 25ns |
アクセス時間 | 25 ns | 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 63-VFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
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Part Number | Description | |
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TC58BVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TH58BYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
TH58BVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
TC58BYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA | |
TH58NYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
TH58NYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58BYG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT 63TFBGA | |
TH58NVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
TH58NYG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
TH58BYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58BVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58NVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58NVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58NVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58BVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
TC58BYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
TC58NYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
TC58NYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
TH58NVG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TH58NVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA |
製品の説明
製品詳細
85 oC,高波動性,汎用コンデンサ
TC型は,高波動電流定位を持つ軸性鉛,85 oC,長寿命1000時間の汎用アルミ電解コンデンサで,消費電子機器のアプリケーションに適しています..
ハイライト
• 一般目的• 高波動 流れ
• 低プロフィール 装着
仕様
属性 | 属性値 |
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製造者 | トシバ半導体および貯蔵 |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | ベナンド |
パッケージ | トレー |
パッケージケース | 63-VFBGA |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 2.7V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
記憶容量 | 1G (128M x 8) |
メモリタイプ | EEPROM - NAND |
スピード | 25ns |
フォーマットメモリ | EEPROM - シリアル |
記述
FLASH - NAND (SLC) メモリIC 1Gb (128M x 8) パラレル 25ns 63-TFBGA (9x11)
SLC NAND フラッシュ パラレル 3.3V 1Gビット
EEPROM 3.3V,1Gbit CMOS NAND EEPROM
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