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R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SRAM | 記憶容量 | 1Mビット |
| 記憶構成 | 128K X 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 55ns |
| アクセス時間 | 55 ns | 電圧 - 供給 | 4.5V~5.5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 32-TFSOP (0.724"、18.40mmの幅) | 供給者のデバイスパッケージ | 32-TSOP I |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| R1LV0108ESF-5SI#S1 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-5SI#S1 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LV0108ESF-5SI#B1 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-5SI#B1 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-5SI#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-5SI#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-5SR#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-5SR#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-7SI#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-7SI#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-7SR#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LP0108ESF-7SR#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LV0108ESF-5SI#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LV0108ESF-5SI#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LV0108ESF-5SR#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LV0108ESF-5SR#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LV0108ESF-7SI#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LV0108ESF-7SI#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LV0108ESF-7SR#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
| R1LV0108ESF-7SR#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
製品の説明
製品詳細
記述
R1LV0108Eシリーズは,Renesasの高性能0.15um CMOSとTFT技術によって製造された,131,072ワード×8ビットとして組織された低電圧1Mbit静的RAMの一族である.R1LV0108Eシリーズは,より高い密度を実現しましたR1LV0108Eシリーズは,シンプルなインターフェース,バッテリーの動作とバックアップは重要な設計目標です32ピンのSOP,32,32,33,33,33,33,33,33,33,34,34,34,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,
特徴
• 単一の2.7~3.6V電源低待機電流: 1μA (3.0V,典型)
● 時計 も 更新 も ない
• すべての入力と出力はTTL互換性があります.
• CS1# と CS2 でメモリ の 拡張 を 容易 に する
• 共通データ I/O
3つの状態の出力: OR-tie 能力
• OE# は I/O バス の データ 衝突 を 防ぐ
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | レネサス・エレクトロニクス アメリカ |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| パッケージケース | 32TFSOP (0.724", 18.40mm 幅) |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 4.5V~5.5V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 32-TSOP (8x20) |
| 記憶容量 | 1M (128K x 8) |
| メモリタイプ | SRAM |
| スピード | 55ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SRAMメモリIC 1Mb (128K x 8) パラレル55ns 32-TSOP (8x20)
SRAMチップアシンク シングル 5V 1M-ビット 128K x 8 55ns 32ピンTSOP-Iトレイ
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