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W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| ブランド名 | Winbond Electronics |
|---|---|
| モデル番号 | W9725G8KB-25 TR |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR2 | 記憶容量 | 256Mbit |
| 記憶構成 | 32M x 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 200 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 400 ps | 電圧 - 供給 | 1.7V~1.9V |
| 動作温度 | 0°C | 85°C （TC） | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 60-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 60WBGA (8x12.5) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W9725G8KB-25 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9725G8KB-18 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
| W9725G8KB25I TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9725G8KB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9725G8KB-18 | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
| W9725G8KB25I | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8NB25I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8NB-25 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8NB-25 | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8NB25I | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8JB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB-25 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB25I | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8JB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB-25 TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB25I TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA |
製品の説明
製品詳細
一般的な説明
W9725G8JBは 256Mビット DDR2 SDRAMで 8つに分類されています388このデバイスは,一般的なアプリケーションのために1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) まで高速転送速度を達成する. W9725G8JBは,以下の速度グレードに分類されています: -18, -25,25I と -3-18はDDR2-1066 (7-7-7) 仕様に対応しています-25/25Iは,DDR2-800 (5-5-5) またはDDR2-800 (6-6-6) 仕様に対応している (25I産業グレードは,保証される -40°C ≤ TCASE ≤ 95°Cに対応)-3 は DDR2-667 (5-5-5) 仕様に対応しています
特徴
電源: VDD,VDDQ = 1.8 V ± 0.1 V• ダブルデータレートアーキテクチャ: 時計サイクルあたり2回のデータ転送
• CAS 遅延: 3, 4, 5, 6 と 7
• 噴出 長さ: 4 と 8
• 双方向の差分データストロブ (DQSとDQS) がデータと共に送信/受信されます
• 読み込みデータと縁並べ,書き込みデータとセンター並べ
• DLL は DQ と DQS の 移行 を 時計 に 合わせる
• 差点クロック入力 (CLKとCLK)
• 書き込みデータのためのデータマスク (DM)
• 各ポジティブな CLK エッジ,データ,データマスクに入力されたコマンドは,DQS の両方のエッジに参照されます.
• コマンドとデータバスの効率化のためにサポートされているプログラム可能なCAS添加物遅延
読み込み遅延 = 加算遅延 + CAS遅延 (RL = AL + CL)
• より良い信号品質のためにオフチップ・ドライバインペダンス調整 (OCD) とオン・ダイ・ターミネーション (ODT)
• 読み書きのフレッシュのための自動前充電操作
• オートリフレッシュとセルフリフレッシュモード
• 前充電電源停止とアクティブ電源停止
• データマスクを書く
• 書き込み遅延 = 読み込み遅延 - 1 (WL = RL - 1)
インターフェース:SSTL_18
• WBGA 60 ボール (8X12.5 mm2) で包装され,RoHS に準拠する鉛のない材料を使用
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ウィンボンド電子 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
| パッケージケース | 60TFBGA |
| 動作温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.9V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 60WBGA (8x12.5) |
| 記憶容量 | 256M (32M x 8) |
| メモリタイプ | DDR2 SDRAM |
| スピード | 2.5ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - DDR2メモリIC 256Mb (32M x 8) パラレル200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
DRAM チップ DDR2 SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 60ピンのWBGA
推薦されたプロダクト
