中国 MX29LV800CTXEI-70G IC Flash 8MBIT PARALLEL 48LFBGA マクロニックス

MX29LV800CTXEI-70G IC Flash 8MBIT PARALLEL 48LFBGA マクロニックス

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC インフィニオン・テクノロジーズ

FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: 前方
テクノロジー: FRAM (Ferroelectric RAM)
中国 MX29GL256FHXFI-90Q IC FLSH 256MBIT PARALLEL 64LFBGA マクロニックス

MX29GL256FHXFI-90Q IC FLSH 256MBIT PARALLEL 64LFBGA マクロニックス

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 MX25R4035FZUIL0 ICフラッシュ 4MBIT SPI/QUAD 8USON マクロニックス

MX25R4035FZUIL0 ICフラッシュ 4MBIT SPI/QUAD 8USON マクロニックス

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 X28HC64JIZ-12 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

X28HC64JIZ-12 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 S29GL512S10GHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

S29GL512S10GHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 M95640-DFDW6TP IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP STMマイクロ電子機器

M95640-DFDW6TP IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP STMマイクロ電子機器

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ アライアンスメモリー,インク

AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ アライアンスメモリー,インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 CAT34C02VP2IGT4A IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN 半線上

CAT34C02VP2IGT4A IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN 半線上

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP アナログデバイス株式会社/マキシムインテグレート

DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP アナログデバイス株式会社/マキシムインテグレート

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: NVSRAM
テクノロジー: NVSRAM (不揮発性SRAM)
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