すべての製品
DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP アナログデバイス株式会社/マキシムインテグレート
| ブランド名 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| モデル番号 | DS1270Y-70# |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
試供品およびクーポンのための私に連絡しなさい。
Whatsapp:0086 18588475571
微信: 0086 18588475571
スカイプ: sales10@aixton.com
心配があれば、私達は24時間のオンライン・ヘルプを提供する。
x商品の詳細
| 記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | NVSRAM （不揮発性SRAM） | 記憶容量 | 16Mbit |
| 記憶構成 | 2M x 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 70ns |
| アクセス時間 | 70 ns | 電圧 - 供給 | 4.5V~5.5V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 穴を抜ける |
| パッケージ/ケース | 36-DIPモジュール (0.610", 15.49mm) | 供給者のデバイスパッケージ | 36-EDIP |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1270Y-70# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-100+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70IND+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70IND+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-70IND# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-100 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-100 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-150 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70IND | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70IND | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-100 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-150 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-100 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-70 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70IND | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-70IND | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100IND | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100IND | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100IND+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100IND# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-150# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70IND# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-150+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP |
製品の説明
製品詳細
記述
DS1270 16M 非揮発性 SRAMは16個7772つに分類された216ビット,完全静的,不揮発性 SRAM097各 NV SRAM は,自立のリチウムエネルギー源と制御回路を備えており, VCC を常に監視します.リチウムエネルギー源が自動的にオンになり,データ破損を防ぐために書き込み保護が無条件に有効です.実行できる書き込みサイクルの数に制限はないし,マイクロプロセッサインターフェースのために追加のサポート回路は必要ありません.
特徴
外部の電源がない場合,最低5年間のデータ保存データが自動的に電源切れ時に保護されます.
無制限の書き込みサイクル
低出力のCMOS操作
読み書きアクセス時間は 70 ns まで速く
リチウムエネルギー源は,電力を初めて適用されるまで新鮮さを保持するために電気的に切断されています.
完全なVCC動作範囲 ±10% (DS1270Y)
任意のVCC動作範囲 ±5% (DS1270AB)
任意の産業用温度範囲 -40°Cから+85°C,IND
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マキシム 統合 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | DS1270Y |
| パッケージ | トューブ |
| マウントスタイル | 穴を抜ける |
| 動作温度範囲 | -40°Cから+85°C |
| パッケージケース | 36-DIPモジュール (0.600",15.24mm) |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 4.5V~5.5V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 36-EDIP |
| 記憶容量 | 16M (2M x 8) |
| メモリタイプ | NVSRAM (非揮発性 SRAM) |
| スピード | 70n |
| アクセス時間 | 70 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | + 85C |
| 動作温度範囲 | - 40°C |
| 稼働供給電流 | 85 mA |
| パート#アリアス | 90-1270Y#070 DS1270Y |
| データバスの幅 | 8ビット |
| 供給電圧最大 | 5.25V |
| 供給電圧-分 | 4.75V |
| パッケージケース | EDIP-36 |
記述
NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 16Mb (2M x 8) パラレル70ns 36-EDIP
NVRAM 16M NV SRAM
推薦されたプロダクト
