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X28HC64JIZ-12 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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x商品の詳細
記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | EEPROM |
---|---|---|---|
テクノロジー | EEPROM | 記憶容量 | 鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆 |
記憶構成 | 8K X 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 5ms |
アクセス時間 | 120 ns | 電圧 - 供給 | 4.5V~5.5V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 32-LCC (J鉛) | 供給者のデバイスパッケージ | 32-PLCC (11.43x13.97) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
X28HC64JIZ-12 | IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC | |
X28HC256JIZ-12T1 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC256JIZ-12 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC256JIZ-15T1 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC256JZ-15T1 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC256JIZ-90T1 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC256JIZ-15 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC256JIZ-90 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
NM27C256V200 | IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C010V150 | IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C010VE120 | IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C010VE200 | IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C040V120 | IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C040V200 | IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C256V100 | IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C256V120 | IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C256V150 | IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C512V120 | IC EPROM 512KBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C512V150 | IC EPROM 512KBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C010V120 | IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C020V120 | IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C020V150 | IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C256V90 | IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C256VE200 | IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC | |
NM27C512V90 | IC EPROM 512KBIT PARALLEL 32PLCC | |
X28HC256J-90 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
FM27C256V120 | IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC | |
FM27C256V150 | IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC | |
X28C512JIZ-12 | IC EEPROM 512KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC64JIZ-90 | IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC | |
X28HC64JZ-12 | IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC | |
X28HC256JI-90R5697 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC256JI-90T1R5699 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC256JI-90R5420 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC | |
X28HC256JI-90R5699 | IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC |
製品の説明
製品詳細
記述
X28HC64は8K×8 EEPROMで インターシルの独占高性能 フローティングゲートCMOS技術で製造されていますX28HC64は5Vのみの装置です業界標準のRAMと互換性がある.
特徴
• 70ns アクセス タイム• 簡単なバイトとページ書き込み
単一の5V電源
電子電池の制御回路がない
◎自己調整
書き込み前に消去は禁止
複雑なプログラミングアルゴリズムがない
過剰に消去する問題はない
• 低電力 CMOS
40mA 最大アクティブ電流
スタンド電流最大200μA
• 書き込み サイクルの 速さ
64バイトページ書き込み操作
バイトまたはページの書き込みサイクル:典型的には2ms
完全メモリ書き換え:0.25秒 典型的な
バイトの書き込みサイクルの有効時間:32μs
• ソフトウェアによるデータ保護
• 書き込み終了検出
DATAの世論調査
切り替えビット
• 高い信頼性
耐久性:100万回
データの保存: 100年
• JEDEC 承認されたバイト幅のピンアウト
•Pbフリー+アニール (RoHS対応)
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | レネサス |
製品カテゴリー | メモリIC |
製造者 | インターシル |
製品カテゴリ | EEPROM |
パッケージケース | PLCC |
メモリサイズ | 64kbit |
インターフェースタイプ | パラレル |
組織 | 8k × 8 |
データの保存 | 100 年 |
供給電流最大 | 40mA |
稼働電源電圧 | 5V |
最大動作温度 | + 85C |
シリーズ | X28HC64 |
アクセス時間 | 120 ns |
ブランド | インターシル |
最低動作温度 | - 40°C |
稼働供給電流 | 40mA |
供給電圧最大 | 5.5V |
供給電圧-分 | 4.5V |
記述
EEPROM 8K X 8 EEPROM,CMOS,ハイスピード,PLCC,IND TEMP,120NS,フリーPB
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