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IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| ブランド名 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| モデル番号 | IS43TR85120A-15HBL-TR |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR3 | 記憶容量 | 4Gbit |
| 記憶構成 | 512M x 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 667のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 20 ns | 電圧 - 供給 | 1.425V | 1.575V |
| 動作温度 | 0°C | 95°C （TC） | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 78-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 78-TWBGA (9x10.5) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43TR85120A-15HBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-15HBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-15HBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-15HBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-125KBL | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-125KBLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-125KBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-125KBL-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-125KBL | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-125KBLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-125KBL-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-15HBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-15HBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-15HBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-15HBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-125KBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-093NBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-107MBLA2-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-107MBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-107MBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-125KBLA1-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-107MBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-093NBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-107MBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120A-125KBLA2 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-125KBLA2 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-107MBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120A-125KBLA2-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-125KBLA1 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-093NBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-093NBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-107MBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-107MBLA2 | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA |
製品の説明
製品詳細
特徴
● 標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V● 低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
● 1066 MHz まで の システム 周波数 で 高速 の データ 転送 速さ
● 8 つの内部バンクが同時に動作する
● 8n-Bit プリフェッチ アーキテクチャ
● プログラム可能な CAS 遅延
● プログラム可能な添加遅延: 0,CL-1,CL-2
● プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
● プログラム できる 爆発 長さ: 4 と 8
● プログラム できる 爆発 配列: 配列 や 交差 配列
● 瞬く間に BL を 切り替える
● 自動 更新 (ASR)
● 自発 更新 温度 (SRT)
● 更新 期間:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
● 部分 配列 自動 更新
● アシンクロンな RESET ピン
● TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
●OCD (オフチップ ドライバー 阻害 調整)
● ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
● ドライバ強度: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● 書き込み の レベル
● DLL のオフ モード で 200 MHz まで
● 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ISSI |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
| パッケージケース | 78-TFBGA |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.425V ~ 1.575V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 78-TWBGA (9x10.5) |
| 記憶容量 | 4G (512M x 8) |
| メモリタイプ | DDR3 SDRAM |
| スピード | 667MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - DDR3 メモリIC 4Gb (512M x 8) パラレル 667MHz 20ns 78-TWBGA (9x10.5)
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