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MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| ブランド名 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| モデル番号 | MT46H16M32LFCM-6 TR |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM -移動式LPDDR | 記憶容量 | 512Mbit |
| 記憶構成 | 16M x 32 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 166 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 5 ns | 電圧 - 供給 | 1.7V | 1.95V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 90-VFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 90VFBGA (10x13) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46H16M32LFCM-6 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-75 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA |
製品の説明
製品詳細
移動型低電源DDR SDRAM
特徴
VDD/VDDQ = 1.70×1.95V• バイトデータ (DQS) の2方向データストロブ
• 内部,パイプラインドダブルデータレート (DDR) アーキテクチャ; 時計サイクルあたり2つのデータアクセス
• 差点時計入力 (CK と CK#)
• ポジティブな CK エッジごとに入力されたコマンド
• DQS の端は READ のデータと並べられ,中央は WRITE のデータと並べられる
• 4つの内部バンクを同時に運用する
• データマスク (DM) 書き込みデータをマスクする; 1バイトあたり1つのマスク
• プログラム可能な爆発長 (BL): 2, 4, 8 または 16
• 同期自動前充電オプションがサポートされています.
• オートリフレッシュと自己リフレッシュモード
●1.8V LVCMOS対応の入力
• 温度 補償 自動 更新 (TCSR)
• 部分配列の自己更新 (PASR)
• 深度の停電 (DPD)
• 状態読み取りレジスタ (SRR)
選択可能な出力駆動強度 (DS)
• 時計停止能力
• 64ms のリフレッシュ, 32ms の自動車温度
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | |
| パッケージケース | 90VFBGA |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.95V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 90VFBGA (10x13) |
| 記憶容量 | 512M (16M x 32) |
| メモリタイプ | 移動型LPDDR SDRAM |
| スピード | 166MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - モバイルLPDDRメモリIC 512Mb (16M x 32) パラレル 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
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