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CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA インフィニオン・テクノロジーズ
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SRAM - デュアルポート,MOBL | 記憶容量 | 256Kbit |
| 記憶構成 | 16K X 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 55ns |
| アクセス時間 | 55 ns | 電圧 - 供給 | 1.7V ~ 1.9V,2.4V ~ 2.6V,2.7V ~ 3.3V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 100-VFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 100-VFBGA (6x6) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| CYDM256B16-55BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-55BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM064B08-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B16-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX064A16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX064A16-90BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX064B16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-90BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-55BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128B16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX256A16-65BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX256A16-90BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM064B16-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM128B16-55BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM064B08-40BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B08-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B16-40BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B16-40BVXIT | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B16-55BVXIT | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM128B08-40BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B08-55BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-40BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-40BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-55BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM256B16-40BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM256B16-40BVXIT | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM256B16-55BVXIT | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX064A16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX064A16-90BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-65BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-90BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX256A16-65BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX256A16-90BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128B16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX064B16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA |
製品の説明
製品詳細
軸型鉛型精密レジスタ
ホルコの精密金属フィルムレジスタは,工業および軍事用アプリケーションのための経済的な価格のコンポーネントの要件を満たしています.製造施設は,金属合金フィルムをセラミック基板にスプッターコーティングを含む厳格に制御された生産プロセスを使用する.エポキシコーティングは環境保護と機械保護のために適用されます.商用では,2つのケースサイズで販売されています.1オームから4Mオーム,許容量は0.05%から1%とTCRは5ppm/°Cから100ppm/°C.Bs CECC40101 004,030および804にリリースされ,H8は配布を通じて入手できます.
主要 な 特徴
■ 超精度 - 0.05% まで■ 2ppm/°C に対応するセット
■ 高パルス に 耐える
■低反応性
■低TCR - 5ppm/°C まで
■ 長期的な安定性
■ 70°C で 1 ワット まで
■ CECC 40101 004,030 と 804 に 発行 さ れ た
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | CYDM256B16 |
| タイプ | アシンクロン |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| 商標名 | モーブル・ブルック |
| パッケージケース | 100VFBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V ~ 1.9V,2.4V ~ 2.6V,2.7V ~ 3.3V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 100VFBGA (6x6) |
| 記憶容量 | 256K (16K x 16) |
| メモリタイプ | SRAM - デュアルポート,MOBL |
| スピード | 55ns |
| データ・レート | SDR |
| アクセス時間 | 55 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | + 85C |
| 動作温度範囲 | - 40°C |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 16k x 16 |
| 供給電流最大 | 25mA |
| 供給電圧最大 | 1.9V |
| 供給電圧-分 | 1.7V |
| パッケージケース | BGA-100 |
機能的に互換性のある部品
形式 パッケージ 機能互換性のある部品
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| IDT70P9268L50BZG 記憶力 |
双ポートSRAM 16KX16,10ns PBGA100,GREEN FPBGA-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | CYDM256B16-55BVXI 対 IDT70P9268L50BZG |
| CYDMX256B16-65BVXI 記憶力 |
デュアルポート SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH,リードフリー, MO-195C, VFBGA-100 | サイパス半導体 | CYDM256B16-55BVXI 対 CYDMX256B16-65BVXI |
| CYDMX256A16-65BVXI 記憶力 |
デュアルポート SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH,リードフリー, MO-195C, VFBGA-100 | サイパス半導体 | CYDM256B16-55BVXI 対 CYDMX256A16-65BVXI |
| CYDM256B16-55BVXIT 記憶力 |
マルチポート SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH,リードフリー, MO-195C, VFBGA-100 | サイパス半導体 | CYDM256B16-55BVXI 対 CYDM256B16-55BVXIT |
| IDT70P926850BZGI 記憶力 |
デュアルポートSRAM, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | CYDM256B16-55BVXI 対 IDT70P926850BZGI |
| IDT70P926850BZG 記憶力 |
デュアルポートSRAM, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | CYDM256B16-55BVXI 対 IDT70P926850BZG |
| CYDM256B16-55BVXC 記憶力 |
16KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH,リードフリー, MO-195C, VFBGA-100 | ロチェスター・エレクトロニクス | CYDM256B16-55BVXI 対 CYDM256B16-55BVXC |
| 70P265L90BYGI 記憶力 |
デュアルポート SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.5 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | CYDM256B16-55BVXI 対 70P265L90BYGI |
| IDT70P9268L50BZGI 記憶力 |
双ポートSRAM 16KX16,10ns PBGA100,GREEN FPBGA-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | CYDM256B16-55BVXI 対 IDT70P9268L50BZGI |
| 70P265L90BYGI8 記憶力 |
デュアルポート SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | CYDM256B16-55BVXI 対 70P265L90BYGI8 |
記述
SRAM - デュアルポート,モビルメモリIC 256Kb (16K x 16) パラレル55ns 100-VFBGA (6x6)
SRAMチップ アシンクロ 双 1.8V 256K-ビット 16K x 16 55ns 100-ピン VFBGA トレイ
SRAM 256K 16Kx16 MoBL デュアルポート IND
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