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MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I マイクロンテクノロジー株式会社

  • MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I Micron Technology Inc.
ブランド名 Micron Technology Inc.
モデル番号 MT28F004B3VG-8B
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ
テクノロジー フラッシュ- 記憶容量 4Mbit
記憶構成 512K X 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 80ns
アクセス時間 80 ns 電圧 - 供給 3V~3.6V
動作温度 0°C~70°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 40-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅) 供給者のデバイスパッケージ 40-TSOP I
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VP-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VP-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VP-9 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VP-9 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

一般的な説明

MT28F004B3 (x8) と MT28F400B3 (x16/x8) は,電動的にブロック消去可能な (フラッシュ) 非揮発性,プログラム可能なメモリデバイスで,4つを含む.194304 ビットは 262,144 文字 (16 ビット) または 524,288 バイト (8 ビット) として組織されています.デバイスの書き込みまたは削除は 3.3Vまたは 5V VPP 電圧で行われ,すべての操作は 3 で行われます.3V VCCプロセス技術の進歩により,5V VPPはアプリケーションおよび生産プログラミングに最適である.これらのデバイスはMicronの先進的な0.18μm CMOS浮動ゲートプロセスで製造されている.
MT28F004B3 と MT28F400B3 は 7 つの別々に消去可能なブロックに組織されています.デバイスにはハードウェアで保護されたブートブロックがあります. ブートブロックを書き込むか消すには,通常の書き込みまたは削除シーケンスを実行することに加えて,RP#ピンに超電圧を適用するか,WP# HIGHをドライブする必要があります.このブロックは,低レベルのシステム復元で実装されたコードを保存するために使用できます.残りのブロックは密度によって異なりますし,追加的なセキュリティ対策なしで書き込み,消去されます.

特徴

• 7つの消去ブロック:
16KB/8Kワードのブートブロック (保護)
2つの 8KB/4K 単語のパラメータブロック
4つのメインメモリーブロック
スマート3技術 (B3):
3.3V ±0.3V VCC
3.3V ±0.3V VPPアプリケーションプログラミング
5V ±10% VPP アプリケーション/生産 プログラミング1
・ 0.3μm スマート 3 デバイスに対応する
• 高度な0.18μm CMOS浮遊ゲートプロセス
• アドレス アクセス 時間: 80ns
• 100,000 回のERASE サイクル
• 業界標準のピノート
•入力と出力は完全にTTL対応です
• 自動 書き込み 消去 アルゴリズム
• 2 サイクル の WRITE/ERASE シーケンス
• バイト や 言葉 の 幅 を 広める 読み書き
(MT28F400B3, 256K×16/512K×8)
• バイト幅の読み書きのみ
(MT28F004B3, 512K × 8)
•TSOPとSOPのパッケージオプション

仕様

属性 属性値
製造者 マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 40-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 40-TSOP I
記憶容量 4M (512K x 8)
メモリタイプ FLASH - NOR
スピード 80n
フォーマットメモリ フラッシュ

記述

FLASH - NOR メモリ IC 4Mb (512K x 8) パラレル 80ns 40-TSOP I
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC