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MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| ブランド名 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| モデル番号 | MT47H16M16BG-37E:B TR |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR2 | 記憶容量 | 256Mbit |
| 記憶構成 | 16M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 267のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 500 ps | 電圧 - 供給 | 1.7V~1.9V |
| 動作温度 | 0°C | 85°C （TC） | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 84-FBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 84-FBGA (8x14) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H16M16BG-37E:B TR | IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-37V:B | IC DRAM 256MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3 IT:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3 IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
製品の説明
製品詳細
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 32 メガ × 4 × 8 バンクMT47H128M8 16 メグ × 8 × 8 банки
MT47H64M16 8 メグ × 16 × 8 банки
特徴
VDD = 1.8V ±0.1V,VDDQ = 1.8V ±0.1VJEDEC標準 1.8V I/O (SSTL_18対応)
差分データストロブ (DQS,DQS#) オプション
• 4nビットプリフェッチアーキテクチャ
• x8 のための複製出力ストロブ (RDQS) オプション
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 8つの内部バンクが同時に運用される
プログラム可能なCAS遅延 (CL)
• CAS 添加物 レイテンシー (AL)
• WRITE レイテンシー = READ レイテンシー - 1 tCK
• 選択可能なバースト長 (BL): 4 か 8
• 調整可能なデータ出力駆動強度
• 64ms, 8192サイクルリフレッシュ
• 死亡時に終了 (ODT)
■工業温度 (IT) オプション
自動車温度 (AT) オプション
• RoHS 準拠
• JEDECクロックジッター仕様に対応
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | |
| パッケージケース | 84-FBGA |
| 動作温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.9V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 84-FBGA (8x14) |
| 記憶容量 | 256M (16M x 16) |
| メモリタイプ | DDR2 SDRAM |
| スピード | 3.75ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - DDR2 メモリ IC 256Mb (16M x 16) パラレル 267MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
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