5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

ブランド名 Renesas Electronics America Inc
モデル番号 5962-3829407MXA
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット SRAM
テクノロジー SRAM -非同期 記憶容量 鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆
記憶構成 8K X 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 - 電圧 - 供給 4.5V~5.5V
動作温度 -55℃~125℃(TA) マウントタイプ 穴を抜ける
パッケージ/ケース 28-CDIP (0.600"、15.24mm) 供給者のデバイスパッケージ 28CDIP
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Part Number Description
5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
5962-8855202XA IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256L70DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256L45DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256S55DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
7164S100DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164S35DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164S55DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164S70DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164S85DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164L100DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164L35DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164L45DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164L55DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164L85DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
5962-8855204XA IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256L100DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256L25DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256L35DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256L55DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256S100DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256S70DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256S85DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256L85DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256S25DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256S35DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
71256S45DB IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
7164L20DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164L25DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164S20DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164S25DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
7164S45DB IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

AT28C010は,高性能の電気消去可能およびプログラム可能な読み取りのみメモリである.その1メガビットメモリは,8ビットで131,072語として組織されている.ATMELの先進的な非揮発性CMOS技術で製造,デバイスは,わずか440mWの電力消耗で120nsまでのアクセス時間を提供します.デバイスをアン選択すると,CMOS待機電流は300μA未満です.

特徴

速読アクセス時間 - 120 ns
• 自動 ページ 書き込み 操作
内部アドレスと128バイトのデータロック
内部制御タイマー
• 速写 サイクル 時間
ページ書き回路時間 - 最大10ms
1~128バイトページ 書き込み操作
• 低 電力 消耗
80 mA 活性電流
CMOS 待機電流 300 μA
• ハードウェアとソフトウェアによるデータ保護
• 書き込み終了検出のためのデータアンケート
• 高信頼性 CMOS テクノロジー
耐久性: 104 か 105 サイクル
データの保存: 10 年
● 5V ± 10% の単一電源
• CMOS と TTL に互換性のある入力と出力
• JEDEC 承認されたバイト幅ピノウット

仕様

属性 属性値
製造者 統合回路システム
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ 5962〜38294
タイプ アシンクロン
パッケージ トューブ
マウントスタイル 穴を抜ける
パッケージケース 28CDIP (0.600",15.24mm)
動作温度 -55°C ~ 125°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 4.5V~5.5V
供給者 デバイス パッケージ 28CDIP
記憶容量 64K (8K x 8)
メモリタイプ SRAM - アシンクロン
スピード -
アクセス時間 70 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 + 125 C
動作温度範囲 - 55°C
インターフェースタイプ パラレル
組織 8k × 8
パート#アリアス 5962-38294 5962-3829407MXA
供給電圧最大 5.5V
供給電圧-分 4.5V
パッケージケース CDIP-28

機能的に互換性のある部品

形式 パッケージ 機能互換性のある部品

製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
AS6C6264A-70PIN
記憶力
標準 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 インチ, ROHS 適合, プラスチック, DIP-28 アライアンスメモリー 5962-3829407MXA対AS6C6264A-70PIN
FT6264L-70DWMLF
記憶力
標準 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, ROHS コンプライアント, セラミック, DIP-28 フォース・テクノロジーズ 5962-3829407MXA対 FT6264L-70DWMLF
V62C51864L-70P
記憶力
標準 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH,プラスティック,DIP-28 モーゼル・ヴィテリック株式会社 5962-3829407MXA 対 V62C51864L-70P
5962-3829407MXA
記憶力
標準 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 モトローラ・セミコンダクター製品 5962-3829407MXA 対 5962-3829407MXA
AS6C6264A-70PCN
記憶力
標準 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 インチ, ROHS 適合, プラスチック, DIP-28 アライアンスメモリー 5962-3829407MXA対AS6C6264A-70PCN
FT6264L-70DWMBLF
記憶力
標準 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, ROHS コンプライアント, セラミック, DIP-28 フォース・テクノロジーズ 5962-3829407MXA対 FT6264L-70DWMBLF
IMS1630LS-70M
記憶力
8KX8 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP28,サイドブレーズ,セラミック,DIP-28 STMマイクロ電子機器 5962-3829407MXA対IMS1630LS-70M

記述

SRAM - アシンクロンメモリIC 64Kb (8K x 8) パラレル28CerDip
SRAM 64K アシンクロン 8K x 8 SRAM