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MT53E768M32D4DT-053 WT:E IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM -移動式LPDDR4 | 記憶容量 | 24Gbit |
| 記憶構成 | 768M x 32 | 記憶インターフェイス | - |
| クロック周波数 | 1.866 GHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
| アクセス時間 | - | 電圧 - 供給 | 1.1V |
| 動作温度 | -30°C | 85°C (TC) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 200-VFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 200-VFBGA (10x14.5) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR | IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR | IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-046 WT:E | IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-053 WT:E | IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-053 AIT:E TR | IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-053 AIT:E | IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR | IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR | IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-046 AAT:E | IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-053 AAT:E | IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA | |
| MT53E2G32D4DT-046 WT:A TR | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA | |
| MT53E2G32D4DT-046 WT:A | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA | |
| MT53E768M32D4DT-053 AUT:E | IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ FBGA QDP | |
| MT53E768M32D4DT-046 AUT:E TR | IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ FBGA QDP | |
| MT53E768M32D4DT-053 AUT:E TR | IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ FBGA QDP | |
| MT53E768M32D4DT-046 AUT:E | IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ FBGA QDP | |
| MT53E2G32D4DT-046 AIT:A TR | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA | |
| MT53E2G32D4DT-046 AIT:A | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA | |
| MT53E2G32D4DT-046 AAT:A TR | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA | |
| MT53E2G32D4DT-046 AAT:A | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA | |
| MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A TR | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA QDP | |
| MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA QDP | |
| MT53B768M32D4DT-062 AIT:B | IC DRAM 24GBIT 1.6GHZ 200VFBGA | |
| MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR | IC DRAM 24GBIT 1.6GHZ 200VFBGA | |
| MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A TR | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ WFBGA | |
| MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A TR | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ WFBGA | |
| MT53E1536M32D4DT-046 WT:A TR | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ WFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR | IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | |
| MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ WFBGA | |
| MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ WFBGA | |
| MT53E1536M32D4DT-046 WT:A | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ WFBGA | |
| MT53E768M32D4DT-046 AIT:E | IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA |
製品の説明
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| 製品カテゴリー | レゾナタ |
| Mfr | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| シリーズ | 自動車AEC-Q100 |
| パッケージ | トレー |
| 商品の状況 | アクティブ |
| メモリタイプ | 揮発性 |
| メモリ形式 | DRAM |
| テクノロジー | SDRAM - モバイルLPDDR4 |
| メモリサイズ | 24Gb (768M x 32) |
| メモリインターフェース | - |
| 時計周波数 | 1.866 GHz |
| 書き込みサイクル タイム ワード ページ | - |
| 電圧供給 | 1.1V |
| 動作温度 | -30°C ~ 85°C (TC) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージケース | 200-VFBGA |
| 供給者 デバイス パッケージ | 200-VFBGA (10x14.5) |
| 基本製品番号 | MT53E768 |
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