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AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA アライアンスメモリー,インク

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
---|---|---|---|
テクノロジー | SDRAM | 記憶容量 | 64Mbit |
記憶構成 | 4M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | 166 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
アクセス時間 | 5.4 ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 54-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 54-TFBGA (8x8) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
AS4C4M16SA-6BIN | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA | |
AS4C8M16SA-6BINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C8M16SA-7BCN | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C8M16SA-6BAN | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16SA-7BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16SA-6BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16SA-6BAN | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C4M16SA-7BCN | IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C4M16SA-6BAN | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA | |
AS4C8M16SA-6BIN | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C4M16SA-7BCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C4M16SA-6BINTR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA | |
AS4C4M16SA-6BANTR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA | |
AS4C8M16SA-7BCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C8M16SA-6BANTR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16SA-7BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16SA-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16SA-6BANTR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16SB-6BIN | IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TFBGA | |
AS4C16M16S-7BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C8M16S-7BCN | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16S-7BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C8M16S-7BCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16S-6BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C4M16S-6BIN | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA | |
AS4C8M16S-6BIN | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C16M16S-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
AS4C4M16S-6BINTR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA | |
AS4C8M16S-6BINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
MT48LC16M16A2F4-6A:G | IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA | |
MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR | IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA | |
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR | IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA |
製品の説明
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | アライアンス・メモリー |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | - |
タイプ | SDRAM |
パッケージ | トレー |
マウントスタイル | SMD/SMT |
パッケージケース | 54-TFBGA |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 3V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 54-TFBGA (8x8) |
記憶容量 | 64M (4M x 16) |
メモリタイプ | SDRAM |
スピード | 166MHz |
アクセス時間 | 5.4 ns |
フォーマットメモリ | RAM |
最大動作温度 | + 85C |
動作温度範囲 | - 40°C |
組織 | 4 M × 16 |
供給電流最大 | 50mA |
データバスの幅 | 16ビット |
供給電圧最大 | 3.6V |
供給電圧-分 | 3V |
パッケージケース | TFBGA-54 |
最大 時計周波数 | 166 MHz |
記述
SDRAMメモリIC 64Mb (4M x 16) パラレル 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
DRAM
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