AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA アライアンスメモリー,インク

ブランド名 Alliance Memory, Inc.
モデル番号 AS4C4M16SA-6BIN
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価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM 記憶容量 64Mbit
記憶構成 4M x 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 166 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 5.4 ns 電圧 - 供給 3V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 54-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 54-TFBGA (8x8)
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Part Number Description
AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BAN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BANTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SB-6BIN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

仕様

属性 属性値
製造者 アライアンス・メモリー
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
タイプ SDRAM
パッケージ トレー
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 54-TFBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 54-TFBGA (8x8)
記憶容量 64M (4M x 16)
メモリタイプ SDRAM
スピード 166MHz
アクセス時間 5.4 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 + 85C
動作温度範囲 - 40°C
組織 4 M × 16
供給電流最大 50mA
データバスの幅 16ビット
供給電圧最大 3.6V
供給電圧-分 3V
パッケージケース TFBGA-54
最大 時計周波数 166 MHz

記述

SDRAMメモリIC 64Mb (4M x 16) パラレル 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
DRAM