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W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II ウィンボンド・エレクトロニクス
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR | 記憶容量 | 64Mbit |
| 記憶構成 | 4M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 200 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 55 ns | 電圧 - 供給 | 2.3V | 2.7V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 66-TSSOP (0.400"、10.16mmの幅) | 供給者のデバイスパッケージ | 66-TSOPII |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W9464G6KH-5 | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-5 | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-5 TR | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-5I TR | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-5I | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-5 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-5I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-5I | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-5 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-5I | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6IH-5 | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6EH-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6JH-5I | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6JH-4 | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6JH-5 | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6JH-5I | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6JH-4 | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-4 | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-4 | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-4 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-4 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-4 TR | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| AS4C2M32D1-5TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| AS4C2M32D1-5TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II |
製品の説明
製品詳細
一般的な説明
W9425G6DHは,CMOSのダブルデータレート同期ダイナミックランダムアクセスメモリ (DDR SDRAM) で,4つに分かれています.194W9425G6DHはパイプライン構造と0.11μmプロセスの技術を使用して,毎秒最大500M語 (-4) のデータ帯域幅を提供します.パーソナルコンピュータの産業標準を完全に遵守する, W9425G6DHは,4つの速度グレードに分類されている: -4, -5, -6および -75. -4はDDR500/CL3仕様に対応している. -5はDDR400/CL3仕様に対応している.-6はDDR333/CL2に対応しています.5 仕様 (保証される -40°C~85°Cに対応する -6I グレード). -75 は DDR266/CL2 仕様 (保証される -40°C~85°Cに対応する 75I グレード) に適合する.
特徴
• DDR266/DDR333用の2.5V ±0.2V電源DDR400/DDR500用の2.6V ±0.1V電源
• 250 MHz まで の 時計 周波数
• ダブルデータレートアーキテクチャ,クロックサイクルあたり2回のデータ転送
• 差点クロック入力 (CLKとCLK)
• DQS は,読み取りのデータと縁を並べ,書き込みのデータと中心を並べます
• CAS 遅延: 2,2,5 と 3
• 噴出長: 2, 4 と 8
• 自動 更新 と 自己 更新
• 前充電電源停止とアクティブ電源停止
• データマスクを書く
• 遅延 = 1 と書く
• 7.8μS のリフレッシュ間隔 (8K / 64 mS のリフレッシュ)
• 最大 フレッシュ リフレッシュ サイクル: 8
インターフェース:SSTL_2
• TSOP II 66ピン, 400 ミリ, 0.65 mm ピッチで梱包され,Pb を使用し,RoHS に準拠しています
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ウィンボンド電子 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| パッケージケース | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm 幅) |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.3V~2.7V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 66-TSOPII |
| 記憶容量 | 64M (4M x 16) |
| メモリタイプ | DDR SDRAM |
| スピード | 200MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - DDRメモリIC 64Mb (4M x 16) パラレル200MHz 55ns 66-TSOP II
DRAMチップ DDR SDRAM 64Mbit 4Mx16 2.5V 66ピンTSOP-II
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