IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS43TR16512AL-15HBL
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - DDR3L 記憶容量 8ギガビット
記憶構成 512M×16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 667のMHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 20 ns 電圧 - 供給 1.283V | 1.45V
動作温度 0°C | 95°C (TC) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 96-LFBGA 供給者のデバイスパッケージ 96-LFBGA (10x14)
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Part Number Description
IS43TR16512AL-15HBL-TR IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS43TR16512A-125KBL IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512A-125KBLI IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512AL-125KBL IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512AL-125KBLI IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512A-125KBLI-TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512A-125KBL-TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512A-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS43TR16512A-15HBLI IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS43TR16512A-15HBLI-TR IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS43TR16512A-15HBL-TR IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS43TR16512AL-125KBLI-TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512AL-125KBL-TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512AL-15HBLI IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS43TR16512AL-15HBLI-TR IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS43TR16512AL-107MBL-TR IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS46TR16512A-15HBLA1-TR IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS43TR16512AL-107MBLI IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS46TR16512A-125KBLA2 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512AL-107MBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS46TR16512AL-15HBLA2 IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS46TR16512AL-125KBLA2-TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS46TR16512AL-125KBLA2 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
IS43TR16512AL-107MBLI-TR IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS46TR16512AL-15HBLA2-TR IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS46TR16512A-15HBLA1 IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
IS46TR16512A-125KBLA2-TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

特徴

標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
• 933 MHz まで の システム 周波数 で 高速 データ 転送 速さ
• 8つの内部バンクが同時に運用される
• 8n-Bit プリフェッチ アーキテクチャ
• プログラム可能なCAS遅延
• プログラム可能な添加遅延: 0 CL-1,CL-2
• プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
• プログラム可能な爆発長: 4 と 8
• プログラム できる 爆発 の 順序: 順序 的 か 間接 的
• 瞬時に BL を 切り替える
•自動自動更新 (ASR)
• 自動更新温度 (SRT)
• リフレッシュ インターバル:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
• 部分 の 配列 自己 更新
• アシンクロン リセットピン
• TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
• OCD (オフチップドライバー阻害調整)
• ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
ドライバ強度: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• 書き直し
• DLL のオフ モード で 200 MHz まで
• 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
製造者 ISSI
製品カテゴリ DRAM
RoHS 詳細
ブランド ISSI

記述

SDRAM - DDR3L メモリIC 8Gb (512M x 16) パラレル 667MHz 20ns
DRAMチップ DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96ピンのLFBGA
DRAM DDR3L,8G1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16