S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

一般説明

S29CD-Gフラッシュファミリーは,バーストモード,デュアルブート,同時読み/書きフラッシュメモリファミリーで,VersatileI/OTMが170nmプロセス技術で製造されている.

特徴

建築 の 利点
■ 同時に読み/書き作業
削除を実行している間に1つの銀行からデータを読み/
他の銀行でのプログラム機能
読み書きの間の遅延はゼロ
2つの銀行構造:大銀行/小銀行
75%/25%
■ユーザー定義のx32データバス
■ デュアルブートブロック
同じ装置の上部と下部ブーツ部門
■ 柔軟な部門構造
CD032G: 8 2K ダブルワード,62 16K
2Kのダブルワード部門
CD016G: 8 2K ダブルワード,32 16K
2Kのダブルワード部門
■ セキュリティーシリコンセクター (256バイト)
工場ロックと識別可能: 16バイト
ランダム 工場 電子 シリアル番号
電子マークとして
■ 170 nm プロセス技術で製造
■ プログラム可能なバーストインターフェース
高性能プロセッサへのインターフェース
線形バースト読み取り操作: 2,4,8ダブル
文字線形 巻き込みかなし
■ プログラム運営
シンクロンとアシンクロン書き込みを実行します
爆発設定レジスタの設定の操作
独立して
■ 単一電源の操作
読み取り,消去,そして
プログラム操作
■ JEDEC 規格との互換性 (JC42.4)
単一電源Flashに対応するソフトウェア
AMD/Fujitsu Am29LV/と後方対応
MBM29LVとAm29F/MBM29Fのフラッシュメモリー

性能特性

■ 高性能の読み取りアクセス
初期/ランダムアクセス時間は 48 ns (32 Mb) と 54
ns (16 Mb)
◎ 7.5 ns (32 Mb) または 9 ns (16 Mb) のバーストアクセス時間
■ 超低消費電力
発射モード 読み込み: 90 mA @ 75 MHz 最大
プログラム/消去: 最大50mA
待機モード:CMOS:最大60μA
■ 業界ごとに100万回書き込み
■ 20 年間のデータ保存
■ 汎用的なOTM制御
データ出力電圧を生成し,データを容認する
入力電圧は,電圧によって決定される
VIOピン
1.65Vから3.60Vに対応する I/O信号

ソフトウェアの特徴

■ 持続的なセクター保護
単一の部門と部門の組み合わせをロックする
プログラムまたは削除操作を防止するグループ
そのセクター内 (VCCレベルのみが必要)
■ パスワード部門保護
単一の部門と部門の組み合わせをロックする
プログラムまたは削除操作を防止するグループ
そのセクター内で,ユーザが定義できる 64 ビット
パスワード
■ 共通フラッシュインターフェイス (CFI) をサポート
■ バイパス プログラム コマンド を 解錠 する
放送時のプログラム全体の時間を短縮します
複数のプログラムコマンドシーケンス
■ データ# 投票と切り替えるビット
プログラムまたは
削除 完了

ハードウェアの特徴

■ プログラム停止/再開&削除停止/
履歴書
プログラム停止または削除操作を許可する
同じ銀行で読み,プログラム,または消す
■ ハードウェア リセット (RESET#), 準備/忙しい# (RY/
BY#),および Write Protect (WP#) の入力
■ ACC 入力
◎ より高い処理量のためにプログラミング時間を加速します
システム生産中に
■ パッケージオプション
80ピンのPQFP
80ボールの強化BGA
Pb のないパッケージも利用できます
良く知られた死者