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S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA サイプレス半導体株式会社
| ブランド名 | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| モデル番号 | S29WS064RABBHW010 |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | フラッシュ |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | フラッシュ- | 記憶容量 | 64Mbit |
| 記憶構成 | 4M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 108のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 60ns |
| アクセス時間 | 80 ns | 電圧 - 供給 | 1.7V | 1.95V |
| 動作温度 | -25℃～85℃(TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 84-VFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 84-FBGA (11.6x8) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| S29WS064RABBHW010 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS064RABBHI000 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS064RABBHI010 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS128P0PBFW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS128P0SBFW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS256P0PBFW000 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS256P0SBFW000 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS512P0PBFW000 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS512P0SBFW000 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS256P0LBFW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS128P0PBFW003 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS256P0SBFW002 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS064RABBHW000 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS064RABBHW010 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS128P0PBAW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| S29WS128PABBFW000 | IC FLASH 128MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS256PABBAW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS256PABBFW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS512PABBFW000 | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS256R0SBHW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS256RAABHW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS256RAABHW000E | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS256RAABHW200E | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS512R0SBHW200E | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS512R0SBHW000 | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA | |
| S29WS512R0SBHW200 | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA |
製品の説明
製品詳細
一般説明
Spansion S29WS256/128/064Nは,110nmプロセス技術で製造されたMirrorbitTMフラッシュ製品である.これらのバーストモードのフラッシュデバイスは,別のデータとアドレスピンを使用して,2つの独立した銀行でゼロの遅延で同時に読み書き操作を実行することができますこれらの製品は,最大80MHzまで動作し,1.7Vから1.95Vの単一のVCCを使用することができ,より高い密度を必要とする今日の要求の高いワイヤレスアプリケーションに理想的です.より良い性能と低電力消費.
特徴
■ 単一の1.8V読み込み/プログラム/消去 (1.70~1.95V)■ 110nm ミラービットTM テクノロジー
■ 読み書きをゼロで同時操作する
遅延
■ 32 文字 の 書き込み バッファー
■ 16/8/4 の 16 銀行構造
WS256N/128N/064N の MWords
■ 16 Kword の4つの部門
メモリアレイ
■ 254/126/62 64 クワード部門 (WS256N/128N/
064N)
■ プログラム可能なバースト読み取りモード
線形で 32, 16 または 8 文字線形で,または
包装なし
連続連続読み取りモード
■ SecSiTM (Secured Silicon) セクター地域
工場と顧客についてそれぞれ 128 文字
■ 20 年間のデータ保存 (典型)
■ サイクリング 耐久性: 各部門あたり10万回
(典型的な)
■ RDY出力はシステムに利用可能なデータを示します.
■ JEDEC に対応するコマンドセット (42.4)
標準
■ 上部と下部をハードウェア (WP#) で保護する
セクター
■ 双重ブートセクター配置 (上と下)
■ 提供されたパッケージ
WS064N:80ボールのFBGA (7mm x 9mm)
WS256N/128N: 84ボールのFBGA (8mm x 11.6mm)
■低VCC書き込み阻害
■ アドバンスド の 持続 的 と パスワード の 方法
セクター保護
■ 書き込み 動作状態のビット プログラムと表示
削除 完了
■ プログラムとコンピュータのコマンドを停止し再開する
削除操作
■ プログラム 命令をオフロック
プログラミング時間
■ 同期または非同期プログラム操作
爆発制御レジスタの設定とは独立している
■ 工場でのプログラミング時間を短縮するACC入力ピン
■ 共同フラッシュインターフェイス (CFI) のサポート
■工業用温度帯 (コンタクト工場)
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | WS-R |
| パッケージ | トレー |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| 動作温度範囲 | -25°Cから+85°C |
| パッケージケース | * |
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.95V |
| 供給者 デバイス パッケージ | * |
| 記憶容量 | 64M (4M x 16) |
| メモリタイプ | FLASH - NOR |
| スピード | 108MHz |
| 建築 | セクター |
| フォーマットメモリ | フラッシュ |
| スタンダード | 共通フラッシュインターフェイス (CFI) |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 4 M × 16 |
| 供給電流最大 | 44mA |
| データバスの幅 | 16ビット |
| 供給電圧最大 | 1.95V |
| 供給電圧-分 | 1.7V |
| パッケージケース | FBGA-84 |
| 最大 時計周波数 | 108 MHz |
| タイムタイプ | アシンクロン シンクロン |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| S29WS064R0SBHW000 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010対S29WS064R0SBHW000 |
| S29WS064R0SBHW013 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010対S29WS064R0SBHW013 |
| S29WS064RABBHW010 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010 対 S29WS064RABBHW010 |
| S29WS064R0SBHW010 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010 対 S29WS064R0SBHW010 |
| S29WS064R0PBHW010 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010対S29WS064R0PBHW010 |
| S29WS064R0SBHW003 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010対S29WS064R0SBHW003 |
| S29WS064RABBHW013 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010対S29WS064RABBHW013 |
| S29WS064R0PBHW013 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010対S29WS064R0PBHW013 |
| S29WS064RABBHW003 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010対S29WS064RABBHW003 |
| S29WS064R0PBHW000 記憶力 |
フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 | サイパス半導体 | S29WS064RABBHW010対S29WS064R0PBHW000 |
記述
FLASH - NOR メモリ IC 64Mb (4M x 16) パラレル 108MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
NOR フラッシュ パラレル 1.8V 64M ビット 4M x 16 80ns 84ピン TFBGA トレイ
フラッシュメモリ
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