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CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGAサイプレス半導体株式会社
| ブランド名 | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| モデル番号 | CYD36S18V18-167BGXC |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SRAM - デュアルポート,同期 | 記憶容量 | 36Mbit |
| 記憶構成 | 2M × 18 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 167のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
| アクセス時間 | 4 ns | 電圧 - 供給 | 1.42V ~ 1.58V,1.7V ~ 1.9V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 484-FBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 484-PBGA (27x27) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| CYD36S18V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD09S72V18-200BGXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA | |
| CYD18S72V18-167BGI | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD18S72V18-167BGC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD18S72V18-167BGXC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD36S36V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
| CYD36S72V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD36S72V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
| CYD36S18V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484FBGA | |
| CYD18S72V18-200BGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA | |
| CYD18S72V18-200BGXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA | |
| CYD09S72V18-200BGXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA | |
| CYD36S18V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD36S18V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
| CYD36S36V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD36S36V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD36S36V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
| CYD36S72V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD36S72V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT 167MHZ 484FBGA | |
| CYD36S72V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
| CYD18S72V18-167BGC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD18S72V18-167BGXC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
| CYD18S72V18-167BGI | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA |
製品の説明
製品詳細
軸型鉛型精密レジスタ
ホルコの精密金属フィルムレジスタは,工業および軍事用アプリケーションのための経済的な価格のコンポーネントの要件を満たしています.製造施設は,金属合金フィルムをセラミック基板にスプッターコーティングを含む厳格に制御された生産プロセスを使用する.エポキシコーティングは環境保護と機械保護のために適用されます.商用では,2つのケースサイズで販売されています.1オームから4Mオーム,許容量は0.05%から1%とTCRは5ppm/°Cから100ppm/°C.Bs CECC40101 004,030および804にリリースされ,H8は配布を通じて入手できます.
主要 な 特徴
■ 超精度 - 0.05% まで■ 2ppm/°C に対応するセット
■ 高パルス に 耐える
■低反応性
■低TCR - 5ppm/°C まで
■ 長期的な安定性
■ 70°C で 1 ワット まで
■ CECC 40101 004,030 と 804 に 発行 さ れ た
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| パッケージケース | 484-FBGA |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 484-FBGA (23x23) |
| 記憶容量 | 36M (2M x 18) |
| メモリタイプ | SRAM - デュアルポート,同期 |
| スピード | 167MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SRAM - デュアルポート,同期メモリIC 36Mb (2M x 18) パラレル167MHz 4ns 484-FBGA (23x23)
推薦されたプロダクト
