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IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
---|---|---|---|
テクノロジー | SRAM - シンクロン,DR II | 記憶容量 | 18Mbit |
記憶構成 | 1M × 18 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | 300 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
アクセス時間 | - | 電圧 - 供給 | 1.71V ~ 1.89V |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 165-LBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 165-LFBGA (13x15) について |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS61DDB21M18A-300B4L | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDB21M18A-250B4LI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M18A-300M3L | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB24M18A-300B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDB22M36A-333B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDB24M18A-300B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDB24M18A-250B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M36A-300B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36-250M3 | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M18-250M3 | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36-275M3 | IC SRAM 36MBIT PAR 165LFBGA | |
IS61DDB21M36A-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M18-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M18A-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB41M36A-450B4I | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36C-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36C-300M3 | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36C-300M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M18C-250B4LI | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A1-550B4L | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A1-550B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A2-550B4L | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A2-550B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A-550B4L | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A-550B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA |
製品の説明
製品詳細
記述
ISSI IS61C67は,高速で低消費電力で16384ワードの1ビットBgy CMOS静的RAMである.ISSIの高性能CMOSダブルメタル技術を使用して製造されている.この高度に信頼性の高いプロセスと 革新的な回路設計技術最大15nsのアクセス時間を出す.
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | ISSI |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | - |
パッケージ | トレー |
パッケージケース | 165-LBGA |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
インターフェース | 共同入出 |
電圧供給 | 1.71V~1.89V |
供給者 デバイス パッケージ | 165-LFBGA (13x15) について |
記憶容量 | 18M (1M x 18) |
メモリタイプ | SRAM - シンクロン,DR II |
スピード | 300MHz |
フォーマットメモリ | RAM |
記述
SRAM - 同期,DR II メモリIC 18Mb (1M x 18) パラレル 300MHz 165-LFBGA (13x15)
SRAMチップシンクロ 双 1.8V 18M-ビット 1M x 18 0.45ns 165-ピン LFBGA
SRAM 18Mb, 1M x 18 DDR-II シンクロ SRAM
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