IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS61DDB21M18A-300B4L
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット SRAM
テクノロジー SRAM - シンクロン,DR II 記憶容量 18Mbit
記憶構成 1M × 18 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 300 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 - 電圧 - 供給 1.71V ~ 1.89V
動作温度 0°C~70°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 165-LBGA 供給者のデバイスパッケージ 165-LFBGA (13x15) について
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Part Number Description
IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDB21M18A-250B4LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB21M18A-300M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB24M18A-300B4LI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDB22M36A-333B4LI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDB24M18A-300B4LI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDB24M18A-250B4LI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB22M36A-300B4LI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB21M36-250M3 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB22M18-250M3 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB21M36-250M3L IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB21M36-275M3 IC SRAM 36MBIT PAR 165LFBGA
IS61DDB21M36A-250M3L IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB22M18-250M3L IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB22M18A-250M3L IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDPB41M36A-450B4I IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB21M36C-250M3L IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB21M36C-300M3 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB21M36C-300M3L IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61DDB22M18C-250B4LI IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDPB42M36A1-550B4L IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDPB42M36A1-550B4LI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDPB42M36A2-550B4L IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDPB42M36A2-550B4LI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDPB42M36A-550B4L IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS61QDPB42M36A-550B4LI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

ISSI IS61C67は,高速で低消費電力で16384ワードの1ビットBgy CMOS静的RAMである.ISSIの高性能CMOSダブルメタル技術を使用して製造されている.この高度に信頼性の高いプロセスと 革新的な回路設計技術最大15nsのアクセス時間を出す.

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 165-LBGA
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース 共同入出
電圧供給 1.71V~1.89V
供給者 デバイス パッケージ 165-LFBGA (13x15) について
記憶容量 18M (1M x 18)
メモリタイプ SRAM - シンクロン,DR II
スピード 300MHz
フォーマットメモリ RAM

記述

SRAM - 同期,DR II メモリIC 18Mb (1M x 18) パラレル 300MHz 165-LFBGA (13x15)
SRAMチップシンクロ 双 1.8V 18M-ビット 1M x 18 0.45ns 165-ピン LFBGA
SRAM 18Mb, 1M x 18 DDR-II シンクロ SRAM