IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS66WVH8M8BLL-100B1LI
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット PSRAM
テクノロジー PSRAM (擬似SRAM) 記憶容量 64Mbit
記憶構成 8M x 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 100 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 40ns
アクセス時間 40 ns 電圧 - 供給 2.7V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 24-TBGA 供給者のデバイスパッケージ 24-TFBGA (6x8)
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Part Number Description
IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS25LP256D-RHLE IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS66WVH16M8DALL-166B1LI IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS25WP128-RHLE IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH8M8ALL-166B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS25WP256D-RHLE IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP064A-RHLE-TR IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
IS25WP064A-RHLE IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
IS25WP128-RHLE-TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS25LP256D-RHLE-TR IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP256D-RHLE-TR IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS25LP512M-RHLE-TR IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
IS25LP512M-RHLE IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP128-RGLE IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP128-RGLE-TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS25LP256D-RGLE-TR IC FLASH 256MBIT SERIAL 24TFBGA
IS25LP512M-RGLE-TR IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
IS25LP256D-RGLE IC FLASH 256MBIT SERIAL 24TFBGA
IS25LP512M-RGLE IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

The IS66_ series are optically coupled isolators consisting of infrared light emitting diode and a high voltage NPN silicon photo darlington which has an integral base-emitter resistor to optimise switching speed and elevated temperature characteristics in a standard 6pin dual in line plastic package.

特徴

• 選択肢:
10mmの鉛の広がり - 部品番号の後にGを追加します.
表面固定 - 部品番号の後にSMを追加します.
テープ&ロール - 部品番号の後には SMT&R を追加します.
●高隔離電圧 (5.3kVRMS)7.5kVPK)
● 高電流伝送比 (1000%分)
●高BVCEO (最低400V - IS662)
(300V最小 - IS661)
(最小200V - IS660)

応用

• モデム
• 複製機,FAX
• 数値制御装置
• 異なる電位と阻力を持つシステム間の信号伝送

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
商標名 ハイパーRAM
パッケージケース 24-TBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 24-TFBGA (6x8)
記憶容量 64M (8M x 8)
メモリタイプ PSRAM (偽)
スピード 100MHz
フォーマットメモリ RAM

記述

PSRAM (偽型SRAM) メモリIC 64Mb (8M x 8) パラレル100MHz 40ns 24-TFBGA (6x8)
SRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz ハイパーラム