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AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA アライアンスメモリー,インク
| ブランド名 | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| モデル番号 | AS4C16M32MD1-5BCN |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM -移動式LPDDR | 記憶容量 | 512Mbit |
| 記憶構成 | 16M x 32 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 200 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 5 ns | 電圧 - 供給 | 1.7V | 1.95V |
| 動作温度 | -25°C | 85°C （TJ） | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 90-VFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 90FBGA (8x13) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C16M32MD1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BINTR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BIN | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BIN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BINTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA |
製品の説明
製品詳細
特徴
• 組織: 1,048,576文字 × 4ビット• 高速
- 40/50/60/70 ns RAS アクセス 時間
- 20/25/30/35 ns コラムアドレス アクセス 時間は
- 10/13/15/18 ns CAS アクセス 時間
• 低電力消費
-アクティブ:最大385mW (−60)
スタンバイ 5.5mW 最大 CMOS I/O
速報モード (AS4C14400) またはEDO (AS4C14405)
• 1024 更新サイクル, 16 ms の更新間隔
- RASのみまたはRAS前にCASリフレッシュ
• 読み取り,変更,書き込み
• TTL対応の3つの状態のI/O
• JEDEC 標準パッケージ
- 300ml 20/26ピンのSOJ
- 300ミリ 20/26ピンのTSOP
単一の5V電源
• ESD 保護 ≥ 2001V
切断電流 ≥ 200 mA
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | アライアンス・メモリー |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| パッケージケース | 90VFBGA |
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C (TJ) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.95V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 90FBGA (8x13) |
| 記憶容量 | 512M (16M x 32) |
| メモリタイプ | モバイル DDR SDRAM |
| スピード | 200MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - モバイルLPDDRメモリIC 512Mb (16M x 32) パラレル200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
DRAM 512M,1.8V,200Mhz 16M x 32 モバイルDDR
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