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MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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x商品の詳細
記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | フラッシュ |
---|---|---|---|
テクノロジー | フラッシュ-否定論履積(MLC) | 記憶容量 | 256Gbit |
記憶構成 | 32G X 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | 167のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
アクセス時間 | - | 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | - | 供給者のデバイスパッケージ | 132-TBGA (12x18) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
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MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR | IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA | |
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MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
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MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D | IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 | IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D | IC FLASH 128GBIT PARALLEL 83MHZ | |
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D | IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA | |
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D | IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA | |
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D | IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA |
製品の説明
製品詳細
一般説明
Micron NAND Flash デバイスには,高性能 I/O 操作のための非同期データインターフェイスが含まれています.これらのデバイスは,コマンド,アドレス,データを転送するために高度なマルチプレックス 8 ビットバス (DQx) を使用します.asyn chronous データインターフェースを実装するために使用される5つの制御信号があります: CE#,CLE,ALE,WE#,RE#.追加の信号は,ハードウェアの書き込み保護 (WP#) とデバイスの状態のモニタリング (R/B#) を制御する.
特徴
•オープン NAND フラッシュ インターフェイス (ONFI) 2.2 に準拠1• 多層細胞技術 (MLC)
• 組織
ページサイズ x8: 8640バイト (8192 + 448バイト)
ブロックサイズ: 256ページ (2048K + 112Kバイト)
飛行機の大きさ: 2つの飛行機 × 2048個のブロック
デバイスサイズ: 64Gb: 4096ブロック
128Gb: 8192ブロック
256Gb: 16,384ブロック
512Gb: 32,786ブロック
• 同期 I/O 性能
シンクロンタイミングモード5まで
時間の速さ: 10ns (DDR)
ピンあたり読み書きのスループット: 200 MT/s
• アシンクロン I/O 性能
アシンクロンタイムモード5まで
ほら
tRC/tWC: 20ns (MIN)
• 配列の性能
ページを読む時間:50μs (MAX)
プログラムページ: 1300μs (TYP)
削除ブロック: 3ms (TYP)
• 稼働電圧範囲
VCC:2.7V3.6V
VCCQ:1.7V1.95V 2.7V3.6V
• コマンドセット: ONFI NAND フラッシュ プロトコル
• 高度なコマンドセット
プログラムキャッシュ
読み取れるキャッシュ
ランダムにキャッシュを読む
一回プログラム可能な (OTP) モード
複数の飛行機のコマンド
複数のLUNの運用
単一のIDを読み取れる
複製版
• 最初のブロック (ブロックアドレス 00h) は,送料時に有効です
必要なECCの最小値については,
エラー管理 (109ページ)
電源を入れると最初のコマンドとして RESET (FFh) が必要です.
について
操作状態のバイトは,ソフトウェアの
検出する
操作の完了
合格/不合格条件
書き込み保護状態
• データ ストロブ (DQS) 信号 は ハードウェア 方法 を 提供 し て い ます
DQ の同期データ
インターフェース
• 飛行機内でのコピーバック操作がサポートされます
データを読み取れる
• 品質と信頼性
データの保存: 10年
耐久性: 5000 プログラム/消去サイクル
• 動作温度:
商業用: 0°Cから+70°C
産業用 (IT): 40°Cから+85°C
• パッケージ
52パッドLGA
48ピンのTSOP
100ボールのBGA
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | - |
パッケージ | * 代替パッケージング |
パッケージケース | * |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 2.7V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | * |
記憶容量 | 256G (32G × 8) |
メモリタイプ | FLASH - NAND |
スピード | - |
フォーマットメモリ | フラッシュ |
記述
FLASH - NANDメモリIC 256Gb (32G x 8) パラレル167MHz
NAND FLASH,MLC NAND について
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