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DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP アナログデバイス株式会社/マキシム統合
| ブランド名 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| モデル番号 | DS1220AD-100IND+ |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | NVSRAM （不揮発性SRAM） | 記憶容量 | 16Kbit |
| 記憶構成 | 2K X 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 100ns |
| アクセス時間 | 100ns | 電圧 - 供給 | 4.5V~5.5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 穴を抜ける |
| パッケージ/ケース | 24-DIPモジュール（0.600"、15.24mm） | 供給者のデバイスパッケージ | 24-EDIP |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1220AD-100IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-120+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-200+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-150IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-200+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-150+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-200IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-120+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-100+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-100+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-150+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-100IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-200IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-120 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-150 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-200 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-150 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-100 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-120 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-100 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-200IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-200IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-100IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-100IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-150IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-200+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-200IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-100IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-100+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-150+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP |
製品の説明
製品詳細
記述
DS1220ABとDS1220AD 16k Nonvolatile SRAMは,16,384ビット,完全に静的,非揮発性 SRAMで,8ビットで2048語に分類されている.各 NV SRAM には,自立のリチウムエネルギー源と制御回路があり,容量を超えた状態の VCC を常に監視する.このような状態が発生すると,リチウムエネルギー源は自動的にオンになり,データ腐敗を防ぐために書き込み保護は無条件に有効になります.NV SRAMは,人気のあるバイト幅24ピンのDIP標準に直接適合する既存の2k x 8 SRAMの代わりに使用できます.デバイスは2716 EPROMと2816 EEPROMのピノウットにも対応し,性能を向上させながら直接交換が可能になります.実行できる書き込みサイクルの数に制限はないし,マイクロプロセッサインターフェイスには追加のサポート回路は必要ありません..
特徴
■ 10 年間の最小データ保存は,外部電源がない場合■ 電源切断時のデータ自動保護
■ 2k x 8 の不安定な静的 RAM や EEPROM を直接置き換える
■ 無制限の書き込みサイクル
■ 低電力 CMOS
■ JEDEC標準の24ピンDIPパッケージ
■ 100 ns の読み書きアクセス時間
■ リチウムエネルギー源は,電源が初めて供給されるまで新鮮さを保つために,電気的に切断されます.
■ VCC 動作範囲の完全 ±10% (DS1220AD)
■ 任意のVCC動作範囲 ±5% (DS1220AB)
■選択的な産業用温度範囲 -40°Cから+85°C,IND
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ダラス・セミコンダクターズ |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | DS1220AD |
| パッケージ | トューブ |
| マウントスタイル | 穴を抜ける |
| パッケージケース | 24DIPモジュール (0.600" 15.24mm) |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 4.5V~5.5V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 24 EDIP |
| 記憶容量 | 16K (2K x 8) |
| メモリタイプ | NVSRAM (非揮発性 SRAM) |
| スピード | 100ns |
| アクセス時間 | 100 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | + 85C |
| 動作温度範囲 | - 40°C |
| 稼働供給電流 | 85 mA |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 2k × 8 |
| パート#アリアス | 90-1220A+D1I DS1220AD |
| データバスの幅 | 8ビット |
| 供給電圧最大 | 5.5V |
| 供給電圧-分 | 4.5V |
| パッケージケース | EDIP-24 |
機能的に互換性のある部品
形式 パッケージ 機能互換性のある部品
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| DS1220Y-100 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.720 INCH, 拡張, DIP-24 | ダラス・セミコンダクター | DS1220AD-100IND+ と DS1220Y-100 |
| DS1220AB-100IND 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,プラスティック,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ と DS1220AB-100IND |
| DS1220AD-100 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.720 INCH, 拡張, DIP-24 | ダラス・セミコンダクター | DS1220AD-100IND+ と DS1220AD-100 |
| DS1220Y-100IND 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ と DS1220Y-100IND |
| DS1220AD-100IND 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,プラスティック,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ と DS1220AD-100IND |
| DS1220AB-100+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS 適合, プラスチック, DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ と DS1220AB-100+ |
| DS1220AB-100IND+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS 適合, プラスチック, DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ vs DS1220AB-100IND+ |
| DS1220Y-100+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ vs DS1220Y-100+ |
| DS1220Y-100IND+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ vs DS1220Y-100IND+ |
| DS1220AB-100 記憶力 |
2KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 100ns, DMA24, 0.720 INCH,プラスティック,DIP-24 | ロチェスター・エレクトロニクス | DS1220AD-100IND+ と DS1220AB-100 |
記述
NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 16Kb (2K x 8) パラレル100ns 24-EDIP
NVRAM 16k 非揮発性 SRAM
推薦されたプロダクト
