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AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA アライアンスメモリー,インク
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - モバイルLPDDR2 | 記憶容量 | 4Gbit |
| 記憶構成 | 128M x 32 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 533のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | - | 電圧 - 供給 | 1.14V ~ 1.95V |
| 動作温度 | -40°C | 85°C (TC) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 134-VFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 134-FBGA (10x11.5) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C128M32MD2A-18BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M32MD2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M32MD2A-25BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C8M32MD2A-25BCN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C32M32MD2A-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M16MD2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M32MD2-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M16MD2A-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M32MD2A-25BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M32MD2A-18BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M16MD2-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M32MD2-18BCN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C32M32MD2-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M16MD2-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M16MD2-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M32MD2-18BCNTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M32MD2-18BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M32MD2-18BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C32M32MD2-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M16MD2-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M32MD2-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M16MD2A-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M16MD2A-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C32M32MD2A-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C32M32MD2A-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M16MD2A-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C128M16MD2A-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M32MD2A-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| AS4C64M32MD2A-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA |
製品の説明
製品詳細
特徴
• 組織: 1,048,576文字 × 4ビット• 高速
- 40/50/60/70 ns RAS アクセス 時間
- 20/25/30/35 ns コラムアドレス アクセス 時間は
- 10/13/15/18 ns CAS アクセス 時間
• 低電力消費
-アクティブ:最大385mW (−60)
スタンバイ 5.5mW 最大 CMOS I/O
速報モード (AS4C14400) またはEDO (AS4C14405)
• 1024 更新サイクル, 16 ms の更新間隔
- RASのみまたはRAS前にCASリフレッシュ
• 読み取り,変更,書き込み
• TTL対応の3つの状態のI/O
• JEDEC 標準パッケージ
- 300ml 20/26ピンのSOJ
- 300ミリ 20/26ピンのTSOP
単一の5V電源
• ESD 保護 ≥ 2001V
切断電流 ≥ 200 mA
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | アライアンス・メモリー |
| 製品カテゴリー | ICチップ |
| Mfr | アライアンス・メモリー |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| 商品の状況 | アクティブ |
| メモリタイプ | 揮発性 |
| メモリ形式 | DRAM |
| テクノロジー | SDRAM - モバイルLPDDR2 |
| メモリサイズ | 4Gb (128M x 32) |
| メモリインターフェース | パラレル |
| 時計周波数 | 533 MHz |
| 書き込みサイクル タイム ワード ページ | 15ns |
| 電圧供給 | 1.14V ~ 1.95V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TC) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージケース | 134-VFBGA |
| 供給者 デバイス パッケージ | 134-FBGA (10x11.5) |
| 基本製品番号 | AS4C128 |
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