AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA アライアンスメモリー,インク

ブランド名 Alliance Memory, Inc.
モデル番号 AS4C128M32MD2A-18BIN
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - モバイルLPDDR2 記憶容量 4Gbit
記憶構成 128M x 32 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 533のMHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 - 電圧 - 供給 1.14V ~ 1.95V
動作温度 -40°C | 85°C (TC) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 134-VFBGA 供給者のデバイスパッケージ 134-FBGA (10x11.5)
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Part Number Description
AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C8M32MD2A-25BCN IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCNTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

特徴

• 組織: 1,048,576文字 × 4ビット
• 高速
- 40/50/60/70 ns RAS アクセス 時間
- 20/25/30/35 ns コラムアドレス アクセス 時間は
- 10/13/15/18 ns CAS アクセス 時間
• 低電力消費
-アクティブ:最大385mW (−60)
スタンバイ 5.5mW 最大 CMOS I/O
速報モード (AS4C14400) またはEDO (AS4C14405)
• 1024 更新サイクル, 16 ms の更新間隔
- RASのみまたはRAS前にCASリフレッシュ
• 読み取り,変更,書き込み
• TTL対応の3つの状態のI/O
• JEDEC 標準パッケージ
- 300ml 20/26ピンのSOJ
- 300ミリ 20/26ピンのTSOP
単一の5V電源
• ESD 保護 ≥ 2001V
切断電流 ≥ 200 mA

仕様

属性属性値
製造者アライアンス・メモリー
製品カテゴリーICチップ
Mfrアライアンス・メモリー
シリーズ-
パッケージトレー
商品の状況アクティブ
メモリタイプ揮発性
メモリ形式DRAM
テクノロジーSDRAM - モバイルLPDDR2
メモリサイズ4Gb (128M x 32)
メモリインターフェースパラレル
時計周波数533 MHz
書き込みサイクル タイム ワード ページ15ns
電圧供給1.14V ~ 1.95V
動作温度-40°C ~ 85°C (TC)
マウントタイプ表面マウント
パッケージケース134-VFBGA
供給者 デバイス パッケージ134-FBGA (10x11.5)
基本製品番号AS4C128