W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II ウィンボンド・エレクトロニクス

ブランド名 Winbond Electronics
モデル番号 W9812G6KH-6
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価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM 記憶容量 128Mbit
記憶構成 8M×16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 166 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 5 ns 電圧 - 供給 3V~3.6V
動作温度 0°C~70°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 54-TSOP (0.400"、10.16mmの幅) 供給者のデバイスパッケージ 54-TSOP II
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Part Number Description
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-5 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6I TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-5 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6I IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6I IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-5 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6I IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6IH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6IH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6EH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6JH-6I IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6JH-6I IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6I IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MD56V62160M-7TAZ0AX IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6JH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6JH-5 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

W9812G6KHは高速の同期ダイナミックランダムアクセスメモリ (SDRAM) で,2Mワード×4バンク×16ビットに分類されている.W9812G6KHは毎秒最大200Mワードのデータ帯域幅を提供します.パーソナルコンピュータの産業標準を完全に遵守する, W9812G6KHは次の速度グレードに分類される: -5, -5I, -5J, -6, -6I, -6Jと -75.


特徴

3.3V ± 0.3V 電源
200MHzまで 時計周波数
2,097152 単語 4 銀行 16 ビット 組織
オートリフレッシュモード
CAS 遅延: 2 と 3
1,2,4,8 ページの長さ
読み込み,書き込みモード
LDQM,UDQMによって制御されるバイトデータ
停止モード
自動前充電と制御前充電
4K リフレッシュサイクル/64 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
4Kリフレッシュサイクル/16mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 105°C
インターフェース: LVTTL
TSOP II 54ピン,400ミリで包装され,RoHS対応の鉛フリー材料を使用

仕様

属性属性値
製造者ウィンボンド電子
製品カテゴリーメモリIC
シリーズ-
パッケージチューブ代替包装
パッケージケース54-TSOP (0.400", 10.16mm 幅)
動作温度0°C~70°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ54-TSOPII
記憶容量128M (8M x 16)
メモリタイプSDRAM
スピード166MHz
フォーマットメモリRAM

記述

SDRAMメモリIC 128Mb (8M x 16) パラレル 166MHz 5ns 54-TSOP II
DRAMチップ SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54ピンのTSOP-II