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70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
SST39VF1601C-70-4I-EKE IC Flash 16MBIT PARALLEL 48TSOPマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP サイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -、SDR同期 |
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
CY62147EV18LL-55BVXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（SLC） |
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |