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70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
FM25L16B-GTR IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | 前方 |
| テクノロジー: | FRAM （Ferroelectric RAM） |
CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGAサイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - 同期,QDRII |
MT25QL128ABA8E12-0SIT IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
AT27C020-55PU IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIPマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EPROM |
| テクノロジー: | EPROM - OTP |
S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
RC28F320C3TA110 IC Flash 32MBIT PAR 64EASYBGA インテル
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ - ブート ブロック |
S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |