中国 70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,同期
中国 IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM
中国 S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGAサイプレス半導体株式会社

S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGAサイプレス半導体株式会社

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-否定論履積
中国 MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - DDR2
中国 W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA ウィンボンド・エレクトロニクス

W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA ウィンボンド・エレクトロニクス

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - DDR3
中国 W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス

W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC インフィニオン・テクノロジーズ

CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC 半端

CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC 半端

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,非同期
中国 AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP マイクロチップ技術

AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP マイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EPROM
テクノロジー: EPROM - OTP
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