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MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
---|---|---|---|
テクノロジー | SDRAM - DDR2 | 記憶容量 | 256Mbit |
記憶構成 | 64m × 4 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | 267のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
アクセス時間 | 500 ps | 電圧 - 供給 | 1.7V~1.9V |
動作温度 | 0°C | 85°C (TC) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 60FBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 60FBGA (8x12) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT47H64M4BP-37E:B TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V128M4FN-5B:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT47H256M4HQ-5E:E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V128M4FN-6:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V16M16FG-5B:F TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V16M16FG-6:F TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V32M8FG-5B:G TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V32M8FG-6:G TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V64M4FG-5B:G TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V64M4FG-6:G TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V64M8FN-5B:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V64M8FN-6:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT47H32M8BP-37E:B TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT47H32M8BP-3:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT48LC16M8A2FB-75:G TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA | |
MT48LC32M8A2FB-75 L:D TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT48LC32M8A2FB-75:D TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT48LC32M8A2FB-7E:D TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46H8M16LFCF-10 | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
MT46H8M16LFCF-10 IT | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
MT46H8M16LFCF-10 IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
MT46H8M16LFCF-10 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
MT46H8M16LFCF-75 | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
MT46H8M16LFCF-75 IT | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
MT46V128M4BN-5B:F | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V128M4BN-5B:F TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V128M4BN-6:F | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V128M4BN-6:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V16M16FG-6 L:F | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V16M16FG-6 L:F TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
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MT46V32M16FN-6:F | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V32M16FN-6:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
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MT47H64M8CB-5E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
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MT46V128M4FN-6:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
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MT46V32M8BG-6:GTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
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MT46V64M4BG-6:GTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
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MT46V64M8BN-6:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
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MT46V16M16BG-6:F TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V128M4BN-6:D | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT46V128M4BN-6:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
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MT46V16M16FG-75:F TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
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MT46V32M16BN-6:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
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MT46V32M16FN-6:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
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MT46V64M4FG-75:G TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
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MT46V64M8FN-75:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT47H128M4CB-37E:B | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT47H128M4CB-37E:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT47H128M4CB-3:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT47H128M4CB-3:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
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MT47H128M4CB-5E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
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MT47H64M8CB-37V:B | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
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MT46V64M8BN-6 L:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT47H64M8B6-37E:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
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MT47H64M8B6-25:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT47H128M4B6-25:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
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MT47H64M8B6-37E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
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MT47H64M8B6-25E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT47H64M8B6-3:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V32M16BN-6 IT:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT47H128M4B6-3:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V16M16BG-6 IT:F TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT47H128M8HQ-3:E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT47H256M4HQ-3:E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT48LC16M8A2BB-7E:G TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT46V64M8FN-6:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
MT47H512M4THN-3:E TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA | |
MT47H512M4THN-37E:E TR | IC DRAM 2GBIT PAR 63FBGA | |
MT47H128M8HQ-187E:E TR | IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA | |
MT47H256M4HQ-187E:E TR | IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA | |
MT47H64M8B6-25E L:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT48LC32M8A2BB-6A:G TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT48LC32M8A2BB-7E:G TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
MT48LC32M8A2BB-6A:G | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
MT48LC32M8A2BB-7E:G | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA |
製品の説明
製品詳細
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 32 メガ × 4 × 8 バンクMT47H128M8 16 メグ × 8 × 8 банки
MT47H64M16 8 メグ × 16 × 8 банки
特徴
VDD = 1.8V ±0.1V,VDDQ = 1.8V ±0.1VJEDEC標準 1.8V I/O (SSTL_18対応)
差分データストロブ (DQS,DQS#) オプション
• 4nビットプリフェッチアーキテクチャ
• x8 のための複製出力ストロブ (RDQS) オプション
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 8つの内部バンクが同時に運用される
プログラム可能なCAS遅延 (CL)
• CAS 添加物 レイテンシー (AL)
• WRITE レイテンシー = READ レイテンシー - 1 tCK
• 選択可能なバースト長 (BL): 4 か 8
• 調整可能なデータ出力駆動強度
• 64ms, 8192サイクルリフレッシュ
• 死亡時に終了 (ODT)
■工業温度 (IT) オプション
自動車温度 (AT) オプション
• RoHS 準拠
• JEDECクロックジッター仕様に対応
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | - |
パッケージ | 代替包装 |
パッケージケース | 60FBGA |
動作温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 1.7V~1.9V |
供給者 デバイス パッケージ | 60FBGA (8x12) |
記憶容量 | 256M (64Mx4) |
メモリタイプ | DDR2 SDRAM |
スピード | 3.75ns |
フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - DDR2メモリIC 256Mb (64M x 4) パラレル 267MHz 500ps 60-FBGA (8x12)
推薦されたプロダクト