MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

ブランド名 Micron Technology Inc.
モデル番号 MT47H64M4BP-37E:B TR
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価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - DDR2 記憶容量 256Mbit
記憶構成 64m × 4 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 267のMHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 500 ps 電圧 - 供給 1.7V~1.9V
動作温度 0°C | 85°C (TC) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 60FBGA 供給者のデバイスパッケージ 60FBGA (8x12)
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Part Number Description
MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
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MT47H64M8CB-37V:B IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT46V64M8BN-6 IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V64M8BN-6 L:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8B6-37E:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT47H128M4B6-3:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H512M4THN-37E:E TR IC DRAM 2GBIT PAR 63FBGA
MT47H128M8HQ-187E:E TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4HQ-187E:E TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8B6-25E L:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-7E:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-7E:G IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 32 メガ × 4 × 8 バンク
MT47H128M8 16 メグ × 8 × 8 банки
MT47H64M16 8 メグ × 16 × 8 банки

特徴

VDD = 1.8V ±0.1V,VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC標準 1.8V I/O (SSTL_18対応)
差分データストロブ (DQS,DQS#) オプション
• 4nビットプリフェッチアーキテクチャ
• x8 のための複製出力ストロブ (RDQS) オプション
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 8つの内部バンクが同時に運用される
プログラム可能なCAS遅延 (CL)
• CAS 添加物 レイテンシー (AL)
• WRITE レイテンシー = READ レイテンシー - 1 tCK
• 選択可能なバースト長 (BL): 4 か 8
• 調整可能なデータ出力駆動強度
• 64ms, 8192サイクルリフレッシュ
• 死亡時に終了 (ODT)
■工業温度 (IT) オプション
自動車温度 (AT) オプション
• RoHS 準拠
• JEDECクロックジッター仕様に対応

仕様

属性属性値
製造者マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリーメモリIC
シリーズ-
パッケージ代替包装
パッケージケース60FBGA
動作温度0°C ~ 85°C (TC)
インターフェースパラレル
電圧供給1.7V~1.9V
供給者 デバイス パッケージ60FBGA (8x12)
記憶容量256M (64Mx4)
メモリタイプDDR2 SDRAM
スピード3.75ns
フォーマットメモリRAM

記述

SDRAM - DDR2メモリIC 256Mb (64M x 4) パラレル 267MHz 500ps 60-FBGA (8x12)