MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

ブランド名 Micron Technology Inc.
モデル番号 MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
支払条件 T/T
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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ
テクノロジー フラッシュ-否定論履積 記憶容量 2Gbit
記憶構成 256M×8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 - 電圧 - 供給 2.7V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 63-VFBGA 供給者のデバイスパッケージ 63-VFBGA (9x11)
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Part Number Description
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADADAH4-IT:D IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F4G08ABAEAH4-S:E IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F4G16ABAEAH4-IT:E IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABBEAH4:E IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F4G08ABBDAHC:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABBDAHC:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADADAH4-E:D IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR IC FLASH 2GBIT SPI 63VFBGA
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR IC FLASH 1GBIT SPI 63VFBGA
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AIT:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABAFAH4-AATES:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

一般説明

Micron NAND Flash デバイスには,高性能 I/O 操作のための非同期データインターフェイスが含まれています.これらのデバイスは,コマンド,アドレス,データを転送するために高度なマルチプレックス 8 ビットバス (DQx) を使用します.asyn chronous データインターフェースを実装するために使用される5つの制御信号があります: CE#,CLE,ALE,WE#,RE#.追加の信号は,ハードウェアの書き込み保護 (WP#) とデバイスの状態のモニタリング (R/B#) を制御する.

特徴

•オープン NAND フラッシュ インターフェイス (ONFI) 2.2 に準拠1
• 多層細胞技術 (MLC)
• 組織
ページサイズ x8: 8640バイト (8192 + 448バイト)
ブロックサイズ: 256ページ (2048K + 112Kバイト)
飛行機の大きさ: 2つの飛行機 × 2048個のブロック
デバイスサイズ: 64Gb: 4096ブロック
128Gb: 8192ブロック
256Gb: 16,384ブロック
512Gb: 32,786ブロック
• 同期 I/O 性能
シンクロンタイミングモード5まで
時間の速さ: 10ns (DDR)
ピンあたり読み書きのスループット: 200 MT/s
• アシンクロン I/O 性能
アシンクロンタイムモード5まで
ほら
tRC/tWC: 20ns (MIN)
• 配列の性能
ページを読む時間:50μs (MAX)
プログラムページ: 1300μs (TYP)
削除ブロック: 3ms (TYP)
• 稼働電圧範囲
VCC:2.7V3.6V
VCCQ:1.7V1.95V 2.7V3.6V
• コマンドセット: ONFI NAND フラッシュ プロトコル
• 高度なコマンドセット
プログラムキャッシュ
読み取れるキャッシュ
ランダムにキャッシュを読む
一回プログラム可能な (OTP) モード
複数の飛行機のコマンド
複数のLUNの運用
単一のIDを読み取れる
複製版
• 最初のブロック (ブロックアドレス 00h) は,送料時に有効です
必要なECCの最小値については,
エラー管理 (109ページ)
電源を入れると最初のコマンドとして RESET (FFh) が必要です.
について
操作状態のバイトは,ソフトウェアの
検出する
操作の完了
合格/不合格条件
書き込み保護状態
• データ ストロブ (DQS) 信号 は ハードウェア 方法 を 提供 し て い ます
DQ の同期データ
インターフェース
• 飛行機内でのコピーバック操作がサポートされます
データを読み取れる
• 品質と信頼性
データの保存: 10年
耐久性: 5000 プログラム/消去サイクル
• 動作温度:
商業用: 0°Cから+70°C
産業用 (IT): 40°Cから+85°C
• パッケージ
52パッドLGA
48ピンのTSOP
100ボールのBGA

仕様

属性 属性値
製造者 マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー メモリIC
カテゴリー 記憶力
製造者 マイクロン・テクノロジー株式会社
シリーズ -
パッケージ トレー
部分の地位 アクティブ
メモリタイプ 不揮発性
メモリ形式 フラッシュ
テクノロジー FLASH - NAND
メモリサイズ 2Gb (256M x 8)
書き込みサイクル タイム ワード ページ -
メモリインターフェース パラレル
電圧供給 2.7V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ 表面マウント
パッケージケース 63-VFBGA
供給者 デバイス パッケージ 63-VFBGA (9x11)
基部分数 MT29F2G08

記述

FLASH - NANDメモリIC 2Gb (256M x 8) パラレル 63-VFBGA (9x11)
SLC NAND フラッシュ パラレル 3.3V 2Gビット 256M x 8 63ピンの VFBGA トレイ