中国 S25FL256SAGBHIA10 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA インフィニオン・テクノロジーズ

S25FL256SAGBHIA10 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 S29GL512S10DHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

S29GL512S10DHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 24LC256-I/P IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIPマイクロチップ技術

24LC256-I/P IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIPマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 S25FL064P0XMFA000 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC インフィニオン・テクノロジーズ

S25FL064P0XMFA000 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 MX29GL320EHT2I-70G IC Flash 32MBIT PARALLEL 56TSOP マクロニックス

MX29GL320EHT2I-70G IC Flash 32MBIT PARALLEL 56TSOP マクロニックス

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 AT27LV020A-90TI IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32TSOP マイクロチップ テクノロジー

AT27LV020A-90TI IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32TSOP マイクロチップ テクノロジー

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EPROM
テクノロジー: EPROM - OTP
中国 CY7C1041G30-10ZSXE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ

CY7C1041G30-10ZSXE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 70V24L15PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

70V24L15PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,非同期
中国 CY7C1356C-250AXC IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP インフィニオン・テクノロジーズ

CY7C1356C-250AXC IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -、SDR同期
中国 24LC128T-I/MS IC EEPROM 128KBIT I2C 8MSOPマイクロチップ技術

24LC128T-I/MS IC EEPROM 128KBIT I2C 8MSOPマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
30 31 32 33 34 35 36 37