中国 AT24C01C-PUM IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8DIPマイクロチップ技術

AT24C01C-PUM IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8DIPマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 AT24C04C-SSHM-T IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOICマイクロチップ技術

AT24C04C-SSHM-T IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOICマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGAサイプレス半導体株式会社

CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGAサイプレス半導体株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -、SDR同期
中国 24LC64T-I/ST IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOPマイクロチップ技術

24LC64T-I/ST IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOPマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -、SDR同期
中国 SST39VF010-70-4I-NHE IC Flash 1MBIT PARALLEL 32PLCCマイクロチップ技術

SST39VF010-70-4I-NHE IC Flash 1MBIT PARALLEL 32PLCCマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ
中国 CAT24C128YI-GT3 IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP 半端で

CAT24C128YI-GT3 IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP 半端で

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 W25X20CLSNIG IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC ウィンボンドエレクトロニクス

W25X20CLSNIG IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC ウィンボンドエレクトロニクス

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ
中国 7025S20PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

7025S20PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,非同期
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