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S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR |
AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN レネサスデザイン ドイツ GmbH
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - シンクロン,DR II |
S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIPマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EPROM |
| テクノロジー: | EPROM - OTP |
71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |