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AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC レネサスデザイン ドイツ GmbH
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP サイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | 前方 |
| テクノロジー: | FRAM （Ferroelectric RAM） |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR3L |
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP アナログデバイス株式会社/マキシム統合
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 マイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP レネサスデザイン ドイツ GmbH
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |