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IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP アナログデバイス株式会社/マキシム統合
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR |
MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |