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AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - モバイルLPDDR2 |
W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA サイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
SST39VF010-70-4I-WHE IC Flash 1MBIT PARALLEL 32TSOP マイクロチップ テクノロジー
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |