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MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - モバイルLPDDR2 |
AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFNマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP ウィンボンド電子機器
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（SLC） |