W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP ウィンボンド電子機器

ブランド名 Winbond Electronics
モデル番号 W29N01HVSINA
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
支払条件 T/T
供給の能力 ストック

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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ
テクノロジー フラッシュ-否定論履積(SLC) 記憶容量 1Gbit
記憶構成 128M x 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 25ns
アクセス時間 25 ns 電圧 - 供給 2.7V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 48-TFSOP (0.724"、18.40mmの幅) 供給者のデバイスパッケージ 48-TSOP
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Part Number Description
W29N08GVSIAA 8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT
W29N01HVSINF TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HVSINA TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 48TSOP
W29N01HZSINF TR IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HZSINF IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HZSINA TR IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
W29N01HZSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N02KVSIAE TR IC FLASH 2GBIT ONFI 48TSOP
W29N02KVSIAF TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N02KVSIAF IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N02KVSIAE IC FLASH 2GBIT ONFI 48TSOP
W29N04GVSIAF TR 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT
W29N04GVSIAA IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N04GVSIAA TR 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT
W29N04KZSIBG TR 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 8-BIT
W29N04KZSIBF TR 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT
W29N04GVSIAF IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N04KZSIBF 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT
W29N04KZSIBG 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 8-BIT
W29N08GVSIAA TR 8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT
W29N08GZSIBF TR 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 4-B
W29N08GZSIBA TR 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 1-B
W29N08GZSIBA IC FLASH 8GBIT PAR 48TSOP
W29N08GZSIBF 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 4-B
W29N02GVSIAA IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
M28W320CT90N6 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
M28W640ECB90N6 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W800DT90N6 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W800DB90N6T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW3A0AN6E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW3A2AN6E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W3A0AN6E IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W4A0AN6E IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND512W3A0AN6E IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW3B2AN6E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND512W3A2BN6E IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
W19B320ABT7H IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
W19B320ATT7H IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
M29DW323DB90N6 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
M29F200BB45N1 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29F200BB50N3 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29F400BB70N3T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W200BB55N1 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W200BB90N1 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W200BB90N6 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W200BT55N1 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW3B2AN6F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW4B2AN6E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND02GW3B2AN6F IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND128W3A0AN6 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND128W3A0AN6E IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND128W3A0AN6F IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W3A0AN6 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W3A0AN6F IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W3A2BN6F IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND512W3A0AN6 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND512W3A2BN6F IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
W19B320BTT7H IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
W29GL064CB7S IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
W29GL064CT7S IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
W29GL032CT7S IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
W29GL032CB7S IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01GVSIAA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HVSINF IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N02GVSIAF IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HWSINF TR IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
W29N01HWSINF IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HWSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HWSINA TR IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

一般的な説明

W29C040は,512K ́8ビットとして組織された4メガビット,5ボルトのみCMOSページモードのフラッシュメモリである.デバイスは標準的な5V電源でシステム内で書き (消去およびプログラム) することができる.12ボルトのVPPは不要ですW29C040のユニークなセルアーキテクチャは,非常に低電流消費 (他の比較可能な5ボルトフラッシュメモリ製品と比較して) で高速な書き込み (消去/プログラム) 操作をもたらします.) デバイスは標準的なEPROMプログラマーを使用して消去およびプログラムすることもできます..

特徴

● 単一の5ボルトの書き込み (消去とプログラム) 操作
· 迅速なページ書き込み操作
- 256バイト / ページ
- ページ書き込み (削除/プログラム) サイクル: 5mS (典型)
- バイト書き込み (消去/プログラム) サイクルの有効時間:19.5mS
- ソフトウェアで保護されたデータを書き込む
· 快速チップ消去操作: 50mS
■ ロックアウト付きの16KBのブートブロック2つ
ページ書き込み (削除/プログラム) サイクル: 50K (典型)
読み込み時間: 70/90/120 nS
· 10 年間のデータ保存
■ ソフトウェアとハードウェアのデータ保護
· 低電力消費
- 活性電流: 25 mA (典型)
- 待機電流: 20 mA (典型)
·内部VPP生成で自動書き込み (消去/プログラム) タイミング
書き込み終了 (消去/プログラム) の検出
- トーグリングビット
- データ調査
· 固定アドレスとデータ
■すべての入力と出力は直接TTL対応
JEDEC 標準バイト幅のピノート
■32ピン600ミリDIP,TSOP,PLCCのパッケージが用意されています.

仕様

属性 属性値
製造者 ウィンボンド電子
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 48-TFSOP (0.488",12.40mm 幅)
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 48-TSOP (18.4×12)
記憶容量 1G (128M x 8)
メモリタイプ FLASH - NAND (SLC)
スピード 25ns
フォーマットメモリ フラッシュ

記述

FLASH - NAND (SLC) メモリIC 1Gb (128M x 8) 平行25ns 48-TSOP (18.4x12)
NANDフラッシュ 3V/3.3V 1Gビット 128M x 8 48ピンのTSOP-I