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IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR |
MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR4 |
MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR |
SST25VF010A-33-4I-QAE IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8WSONマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64LBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS62C1024AL-35TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |