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MX29GL256FHXFI-90Q IC FLSH 256MBIT PARALLEL 64LFBGA マクロニックス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
X28HC64JIZ-12 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
S29GL512S10GHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP アナログデバイス株式会社/マキシムインテグレート
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR |