IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS43LR16200D-6BL-TR
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
支払条件 T/T
供給の能力 ストック

試供品およびクーポンのための私に連絡しなさい。

Whatsapp:0086 18588475571

微信: 0086 18588475571

スカイプ: sales10@aixton.com

心配があれば、私達は24時間のオンライン・ヘルプを提供する。

x
商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM -移動式LPDDR 記憶容量 32Mbit
記憶構成 2M x 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 166 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 5.5 ns 電圧 - 供給 1.7V | 1.95V
動作温度 0°C~70°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 60-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 60TFBGA (8x10)
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

特徴

標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
• 933 MHz まで の システム 周波数 で 高速 データ 転送 速さ
• 8つの内部バンクが同時に運用される
• 8n-Bit プリフェッチ アーキテクチャ
• プログラム可能なCAS遅延
• プログラム可能な添加遅延: 0 CL-1,CL-2
• プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
• プログラム可能な爆発長: 4 と 8
• プログラム できる 爆発 の 順序: 順序 的 か 間接 的
• 瞬時に BL を 切り替える
•自動自動更新 (ASR)
• 自動更新温度 (SRT)
• リフレッシュ インターバル:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
• 部分 の 配列 自己 更新
• アシンクロン リセットピン
• TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
• OCD (オフチップドライバー阻害調整)
• ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
ドライバ強度: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• 書き直し
• DLL のオフ モード で 200 MHz まで
• 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ テープ&ロール (TR) 代替包装
パッケージケース 60TFBGA
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.7V~1.95V
供給者 デバイス パッケージ 60TFBGA (8x10)
記憶容量 32M (2M x 16)
メモリタイプ モバイル DDR SDRAM
スピード 166MHz
フォーマットメモリ RAM

記述

SDRAM - モバイルLPDDRメモリIC 32Mb (2M x 16) パラレル 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (8x10)
DRAMチップ DDR SDRAM 32Mbit 2Mx16 1.8V 60ピン TFBGA T/R
DRAM 32M,1.8V,M-DDR 2Mx16,166Mhz RoHS