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MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| ブランド名 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| モデル番号 | MT46V16M16CY-5B IT:M |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR | 記憶容量 | 256Mbit |
| 記憶構成 | 16M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 200 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 700 ps | 電圧 - 供給 | 2.5V～2.7V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 60-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 60FBGA (8x12.5) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46V16M16CY-5B IT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B IT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16BN-5B:F TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16BN-6:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B:K TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-6 IT:K TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-6:K TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M8CY-5B:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B L:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AAT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B XIT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AIT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B XIT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AAT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AIT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M8CY-5B:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B AIT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B L:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AIT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AAT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AIT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B AIT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B L IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AAT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA |
製品の説明
製品詳細
一般的な説明
DDR333 SDRAMは,高速 CMOS,ダイナミックランダムアクセスメモリで,最大データ転送速度は 333Mb/s/p で 167 MHz (tCK=6ns) の周波数で動作する.DDR333は,JEDEC標準SSTL_2インターフェースと2n-prefetchアーキテクチャを使用し続けています..
特徴
• 167 MHz 時計 333 Mb/s/p データレート・VDD= +2.5V ±0.2V,VDDQ= +2.5V ±0.2V
• 双方向データストロブ (DQS) がデータと共に送信/受信,すなわちソース同期データキャプチャ (x16はバイトあたり2 - 1つ)
• 内部,パイプライン付きのダブルデータレート (DDR) アーキテクチャ; 時計サイクルあたり2つのデータアクセス
• 差点時計入力 (CK と CK#)
• ポジティブな CK エッジごとに入力されたコマンド
• DQS の端は READ のデータと並べられ,中央は WRITE のデータと並べられる
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 4つの内部銀行が同時に機能する
書き込みデータをマスクするデータマスク (DM) (x16はバイトあたり2 - 1つ)
• プログラム できる 爆発 長さ: 2,4,または 8
• 同期自動プレチャージオプションがサポートされています
• オートリフレッシュ と 自己リフレッシュ モード
• FBGA パッケージが利用可能
■ 2.5V I/O (SSTL_2対応)
•tRASロックアウト (tRAP =tRCD)
• DDR200 と DDR266 と後方対応
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| パッケージケース | 60TFBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.5V~2.7V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 60FBGA (8x12.5) |
| 記憶容量 | 256M (16M x 16) |
| メモリタイプ | DDR SDRAM |
| スピード | 5ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - DDRメモリIC 256Mb (16M x 16) パラレル200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5)
DRAMチップ DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 60ピン FBGA
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