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MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| ブランド名 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| モデル番号 | MT40A1G4RH-083E:B |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR4 | 記憶容量 | 4Gbit |
| 記憶構成 | 1G × 4 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 1.2 GHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
| アクセス時間 | - | 電圧 - 供給 | 1.14V | 1.26V |
| 動作温度 | 0°C | 95°C （TC） | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 78-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 78-FBGA （9x10.5） |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT40A1G4RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107:E TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 IT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107 IT:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 IT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 V:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 XIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AAT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 V:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 XIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AAT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-062E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-062E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA |
製品の説明
製品詳細
記述
この1500ワットのトランジエント電圧抑制器は 大きなパッケージでしか見られない 電力処理能力を提供しますIEC61000-4-5の低い電波レベルで見られるように,インダクティブスイッチ環境やインダクティブセカンド雷効果からのトランジエントから保護するために最も頻繁に使用されます.反応時間が非常に速いため,ESDやEFTからの保護にも有効です.Powermite® パッケージの特徴は,組み立て中に溶接流の捕まりの可能性を排除する完全な金属底が含まれます熱吸収器として機能する 独特のロックタブも用意しています寄生性誘導は,高速上昇時のトランジエントの間に電圧過剰を減らすために最小限に抑えられます..
特徴
非常低プロフィール表面マウントパッケージ (1.1mm)• 熱槽をロックするタブ
• 自動挿入装置と互換性
• 完全 の 金属 の 底 から 流体 の 閉じ込め られ て いる こと は なくなる
• 5 ボルト から 170 ボルト の 電圧 範囲
• 一方向または二方向の両方で利用可能 (二方向のC後置き)
最大評価値
• 動作温度: -55°C から +150°C• 保存温度: -55°C から +150°C
・ 1500 ワットのピーク パルス パワー (10 / 1000 μsec)
前向きの電流:8.3msで200Amp (両方向を除く)
• 繰り返しの急増率 (課税因数): 0.01%
• 熱抵抗: 2.5°C/ワット接続からタブ 130°C/ワット接続から推奨されたフットプリントの環境
鉛と設置温度: 10秒間260°C
申請 / 利益
• 二次電撃 臨時 保護• インダクティブスイッチング 臨時保護
• 足跡 が 小さく
• 極小の電圧過電のために非常に低い寄生性誘導力
• IEC61000-4-2 と IEC61000-4-4 に適合し,ESD と EFT 保護,および IEC61000-4-5 に適合し,ここで定義された電圧上昇レベル
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| パッケージケース | 78-TFBGA |
| 動作温度 | 0°C~95°C (TC) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.14V ~ 1.26V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 78-FBGA (9x10.5) |
| 記憶容量 | 4G (1G × 4) |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM |
| スピード | 18ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - DDR4 メモリIC 4Gb (1G x 4) パラレル 1.2GHz 78-FBGA (9x10.5)
DRAMチップ DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78ピン FBGA
推薦されたプロダクト
