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DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP アナログデバイス株式会社/マキシム統合

  • DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
ブランド名 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
モデル番号 DS1345YP-70+
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット NVSRAM
テクノロジー NVSRAM （不揮発性SRAM） 記憶容量 1Mビット
記憶構成 128K X 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 70ns
アクセス時間 70 ns 電圧 - 供給 4.5V~5.5V
動作温度 0°C~70°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 34-PowerCap™モジュール 供給者のデバイスパッケージ 34 パワーキャップ モジュール
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Part Number Description
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS3065WP-100IND+ IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1245WP-100IND+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1250ABP-100+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1350WP-100IND+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
DS1245ABP-70+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1345WP-100+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330YP-100+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

DS1345 1024k NV SRAMは 1 つ048576ビット,完全に静的,NV SRAMは 8ビットで 131,072語として組織されています.各 NV SRAM には,自立のリチウムエネルギー源と制御回路があり,容量を超えた状態の VCC を常に監視する.. このような状態が発生すると,リチウムエネルギー源は自動的にオンになり,書き込み保護は無条件に有効にされ,データの破損を防ぐ. さらに,DS1345デバイスは,VCCの状態と内部リチウム電池の状態を監視するための専用回路を持っています..

特徴

■ 10 年間の最小データ保存は,外部電源がない場合
■ 電源切断時のデータ自動保護
■電源モニターは,VCC電源喪失が発生するとプロセッサをリセットし,VCCランプアップ中にプロセッサをリセット状態に保つ
■ バッテリーモニタが残った容量を毎日チェックする
■ 70 ns の読み書きアクセス時間
■ 無制限の書き込みサイクル耐久性
■ 標準的な待機電流 50μA
■ 128k x 8 SRAM,EEPROM,またはフラッシュにアップグレードする
■ リチウム バッテリー は,電源 が 初めて 供給 さ れる まで,新鮮 な 状態 を 保つ ため,電源 を 切断 さ れ ます
■ VCC 動作範囲の完全 ±10% (DS1345Y) またはオプションの ±5% (DS1345AB)
■選択的な産業用温度範囲 -40°Cから+85°C,IND
■ パワーキャップ モジュール (PCM) パッケージ
- 直接表面に設置できるモジュール
- 交換可能なスナップオンパワーキャップはリチウムバックアップバッテリーを提供します
- すべての非揮発性 (NV) SRAM 製品のための標準化されたピノート
#名前?

仕様

属性 属性値
製造者 マキシム 統合
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ DS1345Y
パッケージ トューブ
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 34 パワーキャップ モジュール
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 4.5V~5.5V
供給者 デバイス パッケージ 34 パワーキャップ モジュール
記憶容量 1M (128K x 8)
メモリタイプ NVSRAM (非揮発性 SRAM)
スピード 70n
アクセス時間 70 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 +70°C
動作温度範囲 0 C
稼働供給電流 85 mA
インターフェースタイプ パラレル
組織 128k x 8
パート#アリアス 90-1345Y+P70 DS1345Y
データバスの幅 8ビット
供給電圧最大 5.5V
供給電圧-分 4.5V
パッケージケース パワーキャップモジュール-34

記述

NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 1Mb (128K x 8) パラレル70ns 34-PowerCap モジュール
NVRAM 1024K NV SRAM と バッテリーモニター
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC