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S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGAサイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP マイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EPROM |
| テクノロジー: | EPROM - OTP |
70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
FM25L16B-GTR IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | 前方 |
| テクノロジー: | FRAM （Ferroelectric RAM） |