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MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM |
AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC レネサスデザイン ドイツ GmbH
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR |
IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMicroelectronics 電子機器について
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
SST39VF1601C-70-4I-EKE IC Flash 16MBIT PARALLEL 48TSOPマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |