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S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

  • S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Infineon Technologies
ブランド名 Infineon Technologies
モデル番号 S29GL512S10FHI010
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
支払条件 T/T
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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ
テクノロジー フラッシュ- 記憶容量 512Mbit
記憶構成 32M x 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 60ns
アクセス時間 100ns 電圧 - 供給 2.7V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 64-LBGA 供給者のデバイスパッケージ 64-FBGA （11x13）
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
S70GL02GT12FHIV10 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHI010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR12 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR12 FLASH, 512MX1, 100NS, PBGA64
S29GL512P11FFI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FFI012 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFIR10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFIR20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFIR20 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFIR10 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFSS80 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR10 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FAIR20 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FAIR10 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FAI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHA010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV23 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FAI020 FLASH - NOR MEMORY IC 512MB (32M
S29GL512P10FFIR12 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FAI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFCR20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS50 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS53 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FAI013 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FAI023 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI013 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI023 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS13 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS23 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS33 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS43 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS63 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FAIV13 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FAIV23 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV13 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV23 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FAI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS30 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS40 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHSS60 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FAIV10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FAIV20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHIV10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S12FHIV20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHB023 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHB020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHIV13 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHIV20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHIV23 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHV010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHV013 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHAV10 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT12FHAV13 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHB010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHB013 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFCR10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S11FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P12FFIV12 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512S10FHI013 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GT11FHV010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFCR10 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFCR20 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FFI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FAI020 IC FLASH 512MBIT 110NS 64BGA
S70GL02GP11FFIR20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL01GP11FAIR10 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL01GP11FAIR12 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL01GP11FFSS80 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P10FFCR10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P10FFI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P10FFI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P11FFI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
QMP29GL512P11FFI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FAIR12 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL01GP11FFIR23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR10 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FAIR22 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P10FFIR10W IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P11FAI012 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR12 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR13 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FAIR23 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP11FFIR22 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FAIR20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI012 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI013 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI020 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI022 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP12FFI023 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
S70GL02GP13FFIV20 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

GL-S MirrorBit® EclipseTM フラッシュ 非揮発性メモリファミリー

S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)
S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)
S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)
S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)
CMOS 3.0 ボルトコア 汎用型I/O

一般説明

Spansion® S29GL01G/512/256/128Sは,65nmプロセスの技術で製造されたMirrorBit Eclipseフラッシュ製品である.これらのデバイスは 15 ns の速度で高速なページアクセス時間を提供し,それに対応するランダムアクセス時間は 90 ns の速度です書き込みバッファを搭載し,最大256文字/512バイトを1回の操作でプログラムできます.
標準的なプログラミングアルゴリズムよりもプログラミング時間が長くなっています.これは,より高密度,より優れたパフォーマンス,低電力消費を必要とする今日の埋め込みアプリケーションに最適なデバイスです.

特徴

¥65nm ミラービット エクリプス テクノロジー
単一電源 (VCC) 読み込み/プログラム/消去 (2.7Vから3.6V)
汎用的な I/O 機能
広範囲のI/O電圧 (VIO):1.65VからVCC
x16 データバス
32バイトの非同期ページ読み込み
512 バイトのプログラムバッファ
ページ倍数でプログラミング,最大512バイトまで
単語のプログラムと単語のオプションの複数のプログラム
セクターの消去
単一の128kbyteセクター
プログラムと消去操作のコマンドを停止し再開する
状態登録,データアンケート,デバイスの状態を決定するための準備/忙しいピン方法
産業保護 (ASP)
各部門の揮発性・非揮発性保護方法
2つのロック可能な領域を持つ 1024 バイトの単一のプログラム (OTP) アレイを分離する
共通フラッシュインターフェイス (CFI) パラメータ表
温度範囲
工業用 (-40°Cから+85°C)
客室内 (-40°C~+105°C)
業界に特有の100,000回の消去サイクル
典型的な20年間のデータ保存
包装オプション
56ピンのTSOP
64ボールのLAA 強化BGA 13mm x 11mm
64ボールのLAE 強化BGA 9mmx9mm
56ボールのVBU 強化BGA 9mm×7mm

仕様

属性 属性値
製造者 サイパス半導体
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ GL-S
パッケージ トレー
マウントスタイル SMD/SMT
動作温度範囲 -40°Cから+85°C
パッケージケース 64LBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 64FBGA (11x13)
記憶容量 512M (32M x 16)
メモリタイプ FLASH - NOR
スピード 100ns
建築 セクター
フォーマットメモリ フラッシュ
インターフェースタイプ パラレル
組織 32 M × 16
供給電流最大 25mA
データバスの幅 16ビット
供給電圧最大 3.6V
供給電圧-分 2.7V
パッケージケース FBGA-64
タイムタイプ アシンクロン

機能的に互換性のある部品

形式 パッケージ 機能互換性のある部品

製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
S29GL512S11DHIV20
記憶力		 フラッシュ,64MX8,110ns,PBGA64,パッケージ サイパス半導体 S29GL512S10FHI010 対 S29GL512S11DHIV20
S29GL512S10DHI010
記憶力		 フラッシュ,64MX8,100ns,PBGA64,パッケージ サイパス半導体 S29GL512S10FHI010 vs S29GL512S10DHI010
S29GL512S11DHIV23
記憶力		 フラッシュ,64MX8,110ns,PBGA64,パッケージ サイパス半導体 S29GL512S10FHI010 対 S29GL512S11DHIV23
S29GL512S10DHI020
記憶力		 フラッシュ,64MX8,100ns,PBGA64,パッケージ サイパス半導体 S29GL512S10FHI010対S29GL512S10DHI020
S29GL512S11DHI010
記憶力		 フラッシュ,64MX8,110ns,PBGA64,9×9MM,ハロゲンフリー&鉛フリー,FBGA-64 サイパス半導体 S29GL512S10FHI010対S29GL512S11DHI010
S29GL512S10FHI010
記憶力		 フラッシュ,64MX8,110ns,PBGA64,パッケージ サイパス半導体 S29GL512S10FHI010 vs S29GL512S10FHI010
S29GL512S11DHIV10
記憶力		 フラッシュ,64MX8,110ns,PBGA64,パッケージ サイパス半導体 S29GL512S10FHI010 対 S29GL512S11DHIV10
S29GL512S11FHI020
記憶力		 EEPROMカード, 32MX16, 110ns, パラレル, CMOS, PBGA64, FBGA-64 サイパス半導体 S29GL512S10FHI010対S29GL512S11FHI020
S29GL512S10FHI020
記憶力		 EEPROMカード, 32MX16, 100ns, パラレル, CMOS, PBGA64, FBGA-64 サイパス半導体 S29GL512S10FHI010 と S29GL512S10FHI020
S29GL512S11FHI013
記憶力		 EEPROMカード, 32MX16, 110ns, パラレル, CMOS, PBGA64, FBGA-64 サイパス半導体 S29GL512S10FHI010 vs S29GL512S11FHI013

記述

NOR フラッシュ パラレル 3V/3.3V 512Mビット 32M x 16 100ns 64ピン強化BGAトレイ
フラッシュメモリ 512Mb 3V 100ns NOR フラッシュ
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC