IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS43R16160F-6TLI
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価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - DDR 記憶容量 256Mbit
記憶構成 16M x 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 166 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 700 ps 電圧 - 供給 2.3V | 2.7V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 66-TSSOP (0.400"、10.16mmの幅) 供給者のデバイスパッケージ 66-TSOPII
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Part Number Description
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800A-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800C-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

特徴

● 標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V
● 低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
● 高速データ転送速度
933 MHz まで
● 8 つの内部バンクが同時に動作する
● 8n ビットプリフェッチアーキテクチャ
● プログラム可能な CAS 遅延
● プログラム可能な添加遅延: 0,CL-1,CL-2
● プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
● プログラム できる 爆発 長さ: 4 と 8
● プログラム できる 爆発 配列: 配列 や 交差 配列
● 瞬く間に BL を 切り替える
● 自動 更新 (ASR)
● 自発 更新 温度 (SRT)
● 更新 期間:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
● 部分 配列 自動 更新
● アシンクロンな RESET ピン
● TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
●OCD (オフチップ ドライバー 阻害 調整)
● ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
● ドライバーの強さ: RZQ/7,RZQ/6 (RZQ = 240)
● 書き込み の レベル
● DLL のオフ モード で 200 MHz まで
● 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレイ 代替パッケージ
パッケージケース 66-TSSOP (0.400", 10.16mm 幅)
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.3V~2.7V
供給者 デバイス パッケージ 66-TSOPII
記憶容量 256M (16M x 16)
メモリタイプ DDR SDRAM
スピード 166MHz
フォーマットメモリ RAM

記述

SDRAM - DDRメモリ IC 256Mb (16M x 16) パラレル 166MHz 700ps 66-TSOP II
DRAMチップ DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66ピンTSOP-II
DRAM 256M 2.5V DDR 16Mx16 166MHz